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PBSS4160DS中文资料PDF规格书
| 厂商型号 |
PBSS4160DS |
| 参数属性 | PBSS4160DS 封装/外壳为SC-74，SOT-457；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 阵列；产品描述：TRANS 2NPN 60V 1A SC-74 |
| 功能描述 | 60 V 1 A NPN/NPN low VCEsat (BISS) transistor |
| 文件大小 |
154.36 Kbytes |
| 页面数量 |
14 页 |
| 生产厂商 | ROYAL PHILIPS |
| 企业简称 |
Philips【飞利浦】 |
| 中文名称 | 荷兰皇家飞利浦官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2024-6-1 23:00:00 |
PBSS4160DS规格书详情
General description
NPN/NPN low VCEsat Breakthrough in Small Signal (BISS) transistor pair in a SOT457 (SC-74) Surface Mounted Device (SMD) plastic package.
PNP complement: PBSS5160DS.
Features
■ Low collector-emitter saturation voltage VCEsat
■ High collector current capability: IC and ICM
■ High collector current gain (hFE) at high IC
■ High efficiency due to less heat generation
■ Smaller required Printed-Circuit Board (PCB) area than for conventional transistors
Applications
■ Dual low power switches (e.g. motors, fans)
■ Automotive applications
产品属性
- 产品编号：
PBSS4160DSZ
- 制造商：
Nexperia USA Inc.
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 阵列
- 包装：
卷带（TR）
- 晶体管类型：
2 NPN（双）
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
1A
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
60V
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
250mV @ 100mA，1A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
250 @ 1mA，5V
- 功率 - 最大值：
700mW
- 频率 - 跃迁：
150MHz
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
SC-74，SOT-457
- 供应商器件封装：
6-TSOP
- 描述：
TRANS 2NPN 60V 1A SC-74
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NXP(恩智浦) |
23+ |
标准封装 |
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全新原装正品/价格优惠/质量保障 |
询价 | ||
NXP/恩智浦 |
23+ |
NA/ |
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NEXPERIA/安世 |
2023+ |
NA |
5961 |
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NEXPERIA/安世 |
TSOP6 |
7906200 |
询价 | ||||
NEXPERIA/安世 |
24+ |
SOT457 |
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询价 |
