PBSS4160DS 分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 阵列 NEXPERIA/安世

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1+	面议

厂家型号：
PBSS4160DS
产品分类：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 阵列
生产厂商：
NEXPERIA/安世
库存数量：
80000
产品封装：
SOT-457
生产批号：
2020+
库存类型：
常用库存
更新时间：
2024-5-28 11:12:00

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原厂料号：PBSS4160DS品牌：nexperi

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PBSS4160DS是分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 阵列。制造商nexperi/Nexperia USA Inc.生产封装SOT-457/SC-74，SOT-457的PBSS4160DS晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 阵列双极晶体管阵列在同一封装中包含两个或更多的分立晶体管，这些晶体管可在电气上完全隔离，也可在器件封装内部以某种形式互连。阵列中包含的器件具有相近或互补的特性，采用共同封装可最大程度减小器件在工作过程中的温差。

芯片型号：
PBSS4160DS
规格书：
下载下载2
企业简称：
NEXPERIA【安世】详情
中文名称：
安世半导体(中国)有限公司
内容页数：
15 页
文件大小：
329.95 kb
资料说明：
60 V, 1 A NPN/NPN low VCEsat (BISS) transistor

产品属性

类型
描述
产品编号：
PBSS4160DSZ
制造商：
Nexperia USA Inc.
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 阵列
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
2 NPN（双）
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
1A
电压 - 集射极击穿（最大值）：
60V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
250mV @ 100mA，1A
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
250 @ 1mA，5V
功率 - 最大值：
700mW
频率 - 跃迁：
150MHz
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
SC-74，SOT-457
供应商器件封装：
6-TSOP
描述：
TRANS 2NPN 60V 1A SC-74

供应商

企业：
深圳市纳艾斯科技有限公司
商铺：
进入商铺
联系人：
朱先生
手机：
13397542358
询价：
电话：
0755-/82781136/2707495
传真：
0755-82707495
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PBSS4160DS

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