PBSS4140T分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

厂商型号 |
PBSS4140T |
参数属性 | PBSS4140T 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 40V 1A TO236AB |
功能描述 | 30 V Low VCE(sat) NPN Transistor |
封装外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
文件大小 |
187.44 Kbytes |
页面数量 |
2 页 |
生产厂商 | SEMTECH ELECTRONICS LTD. |
企业简称 |
SEMTECH_ELEC【先之科半导体】 |
中文名称 | 先之科半导体科技(东莞)有限公司官网 |
原厂标识 | ![]() |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-5-21 23:41:00 |
人工找货 | PBSS4140T价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货 |
PBSS4140T规格书详情
FEATURES
• Low collector-emitter saturation voltage
• High current capabilities
• Improved device reliability due to reduced heat generation.
APPLICATIONS
• General purpose switching and muting
• LCD backlighting
• Supply line switching circuits
• Battery driven equipment (mobile phones, video cameras and hand-held devices).
产品属性
- 产品编号:
PBSS4140T,235
- 制造商:
Nexperia USA Inc.
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 包装:
卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型:
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
500mV @ 100mA,1A
- 电流 - 集电极截止(最大值):
100nA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
300 @ 500mA,5V
- 频率 - 跃迁:
150MHz
- 工作温度:
150°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商器件封装:
TO-236AB
- 描述:
TRANS NPN 40V 1A TO236AB
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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