PBSS4130T分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料

厂商型号	PBSS4130T
参数属性	PBSS4130T 封装/外壳为TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS NPN 30V 1A TO236AB
功能描述	30 V, 1 A NPN low VCEsat (BISS) transistor
封装外壳	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
文件大小	49.62 Kbytes
页面数量	7 页
生产厂商	PHI
中文名称	飞利浦
数据手册	下载地址一下载地址二
更新时间	2025-12-1 23:00:00
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DESCRIPTION

NPN BISS transistor in a SOT23 plastic package providing ultra low VCEsat and RCEsat parameters.

PNP complement: PBSS5130T.

FEATURES

• Low collector-emitter saturation voltage VCEsat

• High collector current capability IC and ICM

• High efficiency leading to less heat generation

• Reduced printed-circuit board requirements

• Cost effective alternative to MOSFETs in specific

applications.

APPLICATIONS

• Power management

– DC/DC conversion

– Supply line switching

– Battery charger

– LCD backlighting.

• Peripheral driver

– Driver in low supply voltage applications (e.g. lamps

and LEDs)

– Inductive load drivers (e.g. relays, buzzers and

motors).

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