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PBSS4140V中文资料飞利浦数据手册PDF规格书

PBSS4140V
厂商型号

PBSS4140V

功能描述

40 V low VCEsat NPN transistor

丝印标识

22

封装外壳

SOT-666

文件大小

62.34 Kbytes

页面数量

12

生产厂商 Philips Semiconductors
企业简称

PHI飞利浦

中文名称

荷兰皇家飞利浦

数据手册

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更新时间

2025-6-29 16:04:00

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PBSS4140V规格书详情

DESCRIPTION

NPN low VCEsat transistor with high current capability in a SOT666 plastic package. PNP complement: PBSS5140V.

FEATURES

• 300 mW total power dissipation

• Very small 1.6 mm x 1.2 mm x 0.55 mm ultra thin package

• Improved thermal behaviour due to flat leads

• Excellent coplanarity due to straight leads

• Low collector-emitter saturation voltage

• High current capabilities

• Reduced required PCB area.

APPLICATIONS

• General purpose switching and muting

• LCD backlighting

• Supply line switching circuits

• Battery driven equipment (mobile phones, video cameras and hand-held devices).

产品属性

  • 型号:

    PBSS4140V

  • 功能描述:

    两极晶体管 - BJT TRANS BISS TAPE-7

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO:

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO:

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO:

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT:

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min:

    100 A

  • 安装风格:

    SMD/SMT

  • 封装/箱体:

    PowerFLAT 2 x 2

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
PHI
19+
SOT663
18000
询价
恩XP
25+
SOT-363
860000
明嘉莱只做原装正品现货
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恩XP
24+
SOT-363
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恩XP
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SOT-666
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恩XP
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PHI
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SOT663
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SOT-363
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恩XP
2023+
SOT-666
8800
正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。
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