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PBSS4140T分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

PBSS4140T
厂商型号

PBSS4140T

参数属性

PBSS4140T 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 40V 1A TO236AB

功能描述

40 V, 1A NPN low VCEsat (BISS) transistor

封装外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

文件大小

275.76 Kbytes

页面数量

9

生产厂商 未知制造商
企业简称

恩XP

中文名称

未知制造商

数据手册

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更新时间

2025-6-29 17:10:00

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PBSS4140T规格书详情

DESCRIPTION

NPN low VCEsat transistor in a SOT23 plastic package.

PNP complement: PBSS5140T.

FEATURES

• Low collector-emitter saturation voltage

• High current capabilities.

• Improved device reliability due to reduced heat generation.

APPLICATIONS

• General purpose switching and muting

• LCD backlighting

• Supply line switching circuits

• Battery driven equipment (mobile phones, video cameras and hand-held devices).

产品属性

  • 产品编号:

    PBSS4140T,235

  • 制造商:

    Nexperia USA Inc.

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    500mV @ 100mA,1A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    300 @ 500mA,5V

  • 频率 - 跃迁:

    150MHz

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商器件封装:

    TO-236AB

  • 描述:

    TRANS NPN 40V 1A TO236AB

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