PBSS4140T分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
PBSS4140T |
| 参数属性 | PBSS4140T 封装/外壳为TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS NPN 40V 1A TO236AB |
| 功能描述 | 40 V, 1A NPN low VCEsat (BISS) transistor |
| 封装外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 文件大小 |
275.76 Kbytes |
| 页面数量 |
9 页 |
| 生产厂商 | NXP Semiconductors |
| 企业简称 |
nxp【恩智浦】 |
| 中文名称 | 恩智浦半导体公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-5-9 10:12:00 |
| 人工找货 | PBSS4140T价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
PBSS4140T规格书详情
DESCRIPTION
NPN low VCEsat transistor in a SOT23 plastic package.
PNP complement: PBSS5140T.
FEATURES
• Low collector-emitter saturation voltage
• High current capabilities.
• Improved device reliability due to reduced heat generation.
APPLICATIONS
• General purpose switching and muting
• LCD backlighting
• Supply line switching circuits
• Battery driven equipment (mobile phones, video cameras and hand-held devices).
产品属性
- 产品编号：
PBSS4140T,235
- 制造商：
Nexperia USA Inc.
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型：
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
500mV @ 100mA，1A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
300 @ 500mA，5V
- 频率 - 跃迁：
150MHz
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商器件封装：
TO-236AB
- 描述：
TRANS NPN 40V 1A TO236AB
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
原装 |
24+ |
标准 |
49906 |
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询价 | ||
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24+ |
SOT-23 |
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17PB |
SOT23 |
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NEXPERIA |
20+ |
SOT23 |
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Nexperia/安世 |
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SOT-23 |
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