60 V, 1 A NPN low VCEsat BISS transistor

NPN low VCEsat Breakthrough in Smal Signal (BISS) transitor in a medium power SOT89 (SC-62) flat lead Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. • Low collector-emitter saturation voltage VCEsat\n• High collector current capability IC and ICM\n• High energy efficiency due to less heat generation\n• AEC-Q101 qualified;

Nexperia

安世

丝印：S41；Package：SOT89；60 V, 1 A NPN low VCEsat BISS transistor

文件：221.45 Kbytes 页数：12 Pages

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安世安世半导体(中国)有限公司

Package：TO-243AA；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别：分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 描述：TRANS NPN 60V 1A SOT89

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Package：TO-243AA；包装：卷带（TR） 类别：分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 描述：TRANS NPN 60V 1A SOT89

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