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PBSS4140T	文件：670.65 Kbytes Page：6 Pages	Silicon NPN transistor in a SOT-23 Plastic Package Descriptions SiliconNPNtransistorinaSOT-23PlasticPackage. Features LowVCE(sat),highcurrent. Applications Generalpurposeswitchingandmuting,LCDback-lighting,supplylineswitchingcircuits.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
PBSS4140T	文件：275.76 Kbytes Page：9 Pages	40 V, 1A NPN low VCEsat (BISS) transistor DESCRIPTION NPNlowVCEsattransistorinaSOT23plasticpackage. PNPcomplement:PBSS5140T. FEATURES •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Highcurrentcapabilities. •Improveddevicereliabilityduetoreducedheatgeneration. APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandmuting •	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
PBSS4140T	文件：657.96 Kbytes Page：9 Pages	Marking：ZT；Package：SOT23；40 V, 1 A NPN low VCEsat (BISS) transistor 1.Generaldescription NPNlowVCEsattransistorinasmallSOT23plasticpackage.PNPcomplement:PBSS5140T. 2.Featuresandbenefits •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Highcurrentcapabilities •Improveddevicereliabilityduetoreducedheatgeneration 3.Applications •Ge	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS4140T-215	文件：275.76 Kbytes Page：9 Pages	40 V, 1A NPN low VCEsat (BISS) transistor DESCRIPTION NPNlowVCEsattransistorinaSOT23plasticpackage. PNPcomplement:PBSS5140T. FEATURES •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Highcurrentcapabilities. •Improveddevicereliabilityduetoreducedheatgeneration. APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandmuting •	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
PBSS4140T-Q	文件：210.05 Kbytes Page：11 Pages	Marking：ZT；Package：SOT23；40 V, 1 A NPN low VCEsat (BISS) transistor 1.Generaldescription NPNlowVCEsattransistorinasmallSOT23plasticpackage.PNPcomplement:PBSS5140T-Q. 2.Featuresandbenefits •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Highcurrentcapabilities •Improveddevicereliabilityduetoreducedheatgeneration •Qualifiedaccording	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS4140T-Q	文件：202.19 Kbytes Page：9 Pages	Marking：ZT；Package：SOT23；40 V, 1 A NPN low VCEsat transistor 1.Generaldescription NPNlowVCEsattransistorinasmallSOT23Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. PNPcomplement:PBSS5140T 2.Featuresandbenefits •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Highcurrentcapabilities •Improveddevicereliabilityduetoreducedheatgenera	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS4140T-Q_V01	文件：202.19 Kbytes Page：9 Pages	40 V, 1 A NPN low VCEsat transistor 1.Generaldescription NPNlowVCEsattransistorinasmallSOT23Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. PNPcomplement:PBSS5140T 2.Featuresandbenefits •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Highcurrentcapabilities •Improveddevicereliabilityduetoreducedheatgenera	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS4140U	文件：64.239 Kbytes Page：8 Pages	40 V low VCEsat NPN transistor DESCRIPTION NPNlowVCEsattransistorinaSOT323plasticpackage. PNPcomplement:PBSS5140U. FEATURES •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Highcurrentcapabilities. •Improveddevicereliabilityduetoreducedheatgeneration. •EnhancedperformanceoverSOT231Ageneralpurposepa	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PBSS4140U	文件：472.02 Kbytes Page：9 Pages	Marking：41t；Package：SOT323；40 V low VCEsat NPN transistor FEATURES •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Highcurrentcapabilities. •Improveddevicereliabilityduetoreducedheatgeneration. •EnhancedperformanceoverSOT231Ageneralpurposepackagedtransistors. APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandmuting •LCDbacklighting •Suppl	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS4140V	文件：62.34 Kbytes Page：12 Pages	Marking：22；Package：SOT-666；40 V low VCEsat NPN transistor DESCRIPTION NPNlowVCEsattransistorwithhighcurrentcapabilityinaSOT666plasticpackage.PNPcomplement:PBSS5140V. FEATURES •300mWtotalpowerdissipation •Verysmall1.6mmx1.2mmx0.55mmultrathinpackage •Improvedthermalbehaviourduetoflatleads •Excellentcoplanarit	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips

详细参数

型号：
PBSS4140
制造商：
NXP Semiconductors
功能描述：
TRANSISTOR SOT-457
功能描述：
TRANSISTOR, SOT-457
功能描述：
TRANSISTOR, SOT-457; Transistor
Polarity：
NPN, PNP; Collector Emitter Voltage
V(br)ceo：
40V; Power Dissipation
Pd：
370mW; DC Collector
Current：
-1A; DC Current Gain
hFE：
300; Operating Temperature
Min：
-65C; Operating Temperature ;RoHS
Compliant：
Yes

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