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PBSS4140DPN_15

40 V low VCEsat NPN/PNP transistor

PhilipsPhilips Semiconductors

飞利浦荷兰皇家飞利浦

PBSS4140T

Low VCEsat (BISS) transistors

PhilipsPhilips Semiconductors

飞利浦荷兰皇家飞利浦

PBSS4140T_15

40 V, 1A NPN low VCEsat (BISS) transistor

PhilipsPhilips Semiconductors

飞利浦荷兰皇家飞利浦

PBSS4140U_15

40 V low VCEsat NPN transistor

PhilipsPhilips Semiconductors

飞利浦荷兰皇家飞利浦

PBSS4140T,235

Package:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS NPN 40V 1A TO236AB

Nexperia USA Inc.

Nexperia USA Inc.

Nexperia USA Inc.

PBSS4140U,115

Package:SC-70,SOT-323;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS NPN 40V 1A SOT323

Nexperia USA Inc.

Nexperia USA Inc.

Nexperia USA Inc.

PBSS4140U,135

Package:SC-70,SOT-323;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS NPN 40V 1A SOT323

Nexperia USA Inc.

Nexperia USA Inc.

Nexperia USA Inc.

详细参数

  • 型号:

    PBSS4140

  • 功能描述:

    两极晶体管 - BJT NPN/PNP 40V 1A

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO:

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO:

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO:

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT:

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min:

    100 A

  • 安装风格:

    SMD/SMT

  • 封装/箱体:

    PowerFLAT 2 x 2

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更多PBSS4140供应商 更新时间2025-5-29 9:19:00