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PBSS4140DPN	文件：585.6 Kbytes Page：12 Pages	Marking：M2；Package：SOT23；40 V low VCEsat NPN/PNP transistor FEATURES •600mWtotalpowerdissipation •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Highcurrentcapability •Improveddevicereliabilityduetoreducedheatgeneration •ReplacestwoSOT23packagedlowVCEsattransistorsonsamePCBarea •ReducesrequiredPCBarea •Reducedpickandplacecos	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS4140DPN	文件：76.82 Kbytes Page：12 Pages	40 V low VCEsat NPN/PNP transistor DESCRIPTION NPN/PNPlowVCEsattransistorpairinanSC-74(SOT457)plasticpackage. FEATURES •600mWtotalpowerdissipation •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Highcurrentcapability •Improveddevicereliabilityduetoreducedheat generation •ReplacestwoSOT23packaged	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PBSS4140DPN	文件：948.33 Kbytes Page：12 Pages	Low VCEsat (BISS) transistors	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PBSS4140DPN_15	文件：373.16 Kbytes Page：11 Pages	40 V low VCEsat NPN/PNP transistor	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PBSS4140S	文件：60.43 Kbytes Page：8 Pages	40VlowVCEsatNPNtransistor DESCRIPTION NPNlowVCEsattransistorinaSOT54plasticpackage. PNPcomplement:PBSS5140S. FEATURES •Highpowerdissipation(830mW) •Ultralowcollector-emittersaturationvoltage •1Acontinuouscurrent •Highcurrentswitching •Improveddevicereliabilityduetoreducedheatgener	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PBSS4140S	文件：781.45 Kbytes Page：6 Pages	SiliconNPNtransistorinaTO-92PlasticPackage Descriptions SiliconNPNtransistorinaTO-92PlasticPackage. Features HighPC,lowVCE(sat),highcurrentswitching. Applications Mediumpowerswitchingandmuting,linearregulators,LCDback-lighting,supplylineswitchingcircuits.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
PBSS4140SH	文件：528.57 Kbytes Page：6 Pages	NPNLowVCE(SAT)Transistor Features SiliconNPNepitaxialtype LowVCE(SAT)0.25V(max)@IC/IB=1A/100mA Highcollectorcurrentcapability ExcellentDCcurrentgaincharacteristics PNPcomplement:PBSS5140SH LeadfreeincompliancewithEURoHS2.0 GreenmoldingcompoundasperIEC61249Standard	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
PBSS4140SW	文件：547.63 Kbytes Page：6 Pages	NPNLowVCE(SAT)Transistor Features SiliconNPNepitaxialtype LowVCE(SAT)0.25V(max)@IC/IB=1A/100mA Highcollectorcurrentcapability ExcellentDCcurrentgaincharacteristics PNPcomplement:PBSS5140SH LeadfreeincompliancewithEURoHS2.0 GreenmoldingcompoundasperIEC61249Standard	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
PBSS4140T	文件：670.65 Kbytes Page：6 Pages	SiliconNPNtransistorinaSOT-23PlasticPackage Descriptions SiliconNPNtransistorinaSOT-23PlasticPackage. Features LowVCE(sat),highcurrent. Applications Generalpurposeswitchingandmuting,LCDback-lighting,supplylineswitchingcircuits.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
PBSS4140T	文件：187.44 Kbytes Page：2 Pages	30VLowVCE(sat)NPNTransistor FEATURES •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Highcurrentcapabilities •Improveddevicereliabilityduetoreducedheatgeneration. APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandmuting •LCDbacklighting •Supplylineswitchingcircuits •Batterydrivenequipment(mobilephones,v	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司	SEMTECH_ELEC

详细参数

型号：
PBSS4140DPN
功能描述：
两极晶体管 - BJT NPN/PNP 40V 1A
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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