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PBSS4140DPN规格书详情
FEATURES
•600 mW total power dissipation
•Low collector-emitter saturation voltage
•High current capability
•Improved device reliability due to reduced heat generation
•Replaces two SOT23 packaged low VCEsat transistors on same PCB area
•Reduces required PCB area
•Reduced pick and place costs.
APPLICATIONS
•General purpose switching and muting
•LCD backlighting
•Supply line switching circuits
•Battery driven equipment (mobile phones, video cameras and hand-held devices).
DESCRIPTION
NPN/PNP low VCEsat transistor pair in an SC-74 (SOT457) plastic package.
产品属性
- 型号：
PBSS4140DPN
- 功能描述：
两极晶体管 - BJT NPN/PNP 40V 1A
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
- VCBO：
集电极—发射极最大电压
- VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
- VEBO：
- 6 V
- 增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
- Min：
100 A
- 安装风格：
SMD/SMT
- 封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
恩XP |
24+ |
NA/ |
6126 |
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询价 | ||
NEXPERIA/安世 |
24+ |
原厂原封可拆样 |
65258 |
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询价 | ||
NEXPERIA/安世 |
23+ |
SOT457 |
50000 |
原装正品 支持实单 |
询价 | ||
NEXPERIA/安世 |
25+ |
SOT457 |
600000 |
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恩XP |
23+ |
SOT457 |
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恩XP |
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SOT457 |
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恩XP |
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NA |
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恩XP |
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N/A |
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恩XP |
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恩XP |
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Original |
50000 |
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