PBSS4120T分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料

厂商型号	PBSS4120T
参数属性	PBSS4120T 封装/外壳为TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS NPN 20V 1A TO236AB
功能描述	20 V, 1 A NPN low VCEsat (BISS) transistor
丝印标识	3B
封装外壳	SOT23 / TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
文件大小	460.64 Kbytes
页面数量	8 页
生产厂商	NEXPERIA
中文名称	安世
网址	网址
数据手册	下载地址一下载地址二到原厂下载
更新时间	2025-12-11 23:01:00
人工找货	PBSS4120T价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货

FEATURES

•Low collector-emitter saturation voltage VCEsat

•High collector current capability IC and ICM

•High efficiency leading to less heat generation

•Reduced printed-circuit board requirements

•Cost effective alternative to MOSFETs in specific applications.

APPLICATIONS

•Power management

–DC/DC conversion

–Supply line switching

–Battery charger

–LCD backlighting.

•Peripheral driver

–Driver in low supply voltage applications (e.g. lamps and LEDs)

–Inductive load drivers (e.g. relays, buzzers and motors).

DESCRIPTION

NPN BISS transistor in a SOT23 plastic package providing ultra low VCEsat and RCEsat parameters.

PNP complement: PBSS5120T.

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