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PBSS4032PZ数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF
| 厂商型号 |
PBSS4032PZ |
| 参数属性 | PBSS4032PZ 封装/外壳为TO-261-4，TO-261AA；包装为散装；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS PNP 30V 4.4A SOT223 |
| 功能描述 | 30 V, 4.4 A PNP low VCEsat (BISS) transistor |
| 封装外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
| 制造商 | Nexperia Nexperia B.V. All rights reserved |
| 中文名称 | 安世 安世半导体(中国)有限公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-7 23:00:00 |
| 人工找货 | PBSS4032PZ价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
PBSS4032PZ规格书详情
描述 Description
PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a medium power SOT223 (SC-73) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.
NPN complement: PBSS4032NZ.
特性 Features
• Low collector-emitter saturation voltage VCEsat
• Optimized switching time
• High collector current capability IC and ICM
• High collector current gain (hFE) at high IC
• High energy efficiency due to less heat generation
• AEC-Q101 qualified
• Smaller required Printed-Circuit Board (PCB) area than for conventional transistors
应用 Application
• DC-to-DC conversion
• Battery-driven devices
• Power management
• Charging circuits
技术参数
- 制造商编号
：PBSS4032PZ
- 生产厂家
：Nexperia
- Package version
：SOT223
- Package name
：SC-73
- Size (mm)
：6.5 x 3.5 x 1.65
- transistor polarity
：PNP
- P_tot [max] (mW)
：2000
- V_CEO [max] (V)
：-30
- I_C [max] (A)
：-4.4
- I_CM [max] (A)
：-10
- h_FE [min]
：200
- h_FE [typ]
：350
- f_T [typ] (MHz)
：130
- R_CEsat [typ] (mΩ)
：58
- R_CEsat [max] (mΩ)
：86
- V_CEsat [max] (mV)
：-400
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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