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PBSS4032PZ	文件：733.02 Kbytes Page：15 Pages	Marking：PB4032PZ；Package：SC-73；30 V, 4.4 A PNP low VCEsat (BISS) transistor Featuresandbenefits Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat Optimizedswitchingtime HighcollectorcurrentcapabilityICandICM Highcollectorcurrentgain(hFE)athighIC Highenergyefficiencyduetolessheatgeneration AEC-Q101qualified *SmallerrequiredPrint	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS4032PZ	文件：199.4 Kbytes Page：15 Pages	30 V, 4.4 A PNP low VCEsat (BISS) transistor	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PBSS4032PZ-Q	文件：303.85 Kbytes Page：14 Pages	Marking：PB4032PZ；Package：SOT223；30 V, 4.4 A PNP low VCEsat transistor 1.Generaldescription PNPlowVCEsattransistorinamediumpowerSOT223(SC-73)Surface-MountedDevice(SMD) plasticpackage. NPNcomplement:PBSS4032NZ-Q 2.Featuresandbenefits •Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat •Optimizedswitchingtime •Highcollectorcurrentcapab	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS4032PZ_15	文件：199.4 Kbytes Page：15 Pages	30 V, 4.4 A PNP low VCEsat (BISS) transistor	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PBSS4032PZ,115	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-261-4，TO-261AA；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 30V 4.4A SOT223	Nexperia USA Inc. Nexperia USA Inc.	Nexperia USA Inc.
PBSS4032SN	文件：397.91 Kbytes Page：15 Pages	30V,5.7ANPN/NPNlowVCEsat(BISS)transistor Generaldescription NPN/NPNlowVCEsatBreakthroughInSmallSignal(BISS)transistorinaSOT96-1(SO8)mediumpowerSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. Featuresandbenefits ■Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat ■Optimizedswitchingtime ■Highcollectorcurrentcapab	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
PBSS4032SN	文件：1.03696 Mbytes Page：15 Pages	30V,5.7ANPN/NPNlowVCEsat(BISS)transistor Featuresandbenefits Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat Optimizedswitchingtime HighcollectorcurrentcapabilityICandICM Highcollectorcurrentgain(hFE)athighIC Highefficiencyduetolessheatgeneration SmallerrequiredPrinted-CircuitBoard(PCB)areat	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS4032SP	文件：837.72 Kbytes Page：15 Pages	30V,4.8APNP/PNPlowVCEsat(BISS)transistor Generaldescription PNP/PNPlowVCEsatBreakthroughInSmallSignal(BISS)transistorinaSOT96-1(SO8)mediumpowerSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. Featuresandbenefits ■Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat ■Optimizedswitchingtime ■Highcollectorcurrentcapab	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS4032SPN	文件：220.41 Kbytes Page：20 Pages	30VNPN/PNPlowVCEsat(BISS)transistor Generaldescription NPN/PNPlowVCEsatBreakthroughInSmallSignal(BISS)transistorinaSOT96-1(SO8)mediumpowerSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. Featuresandbenefits ■Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat ■Optimizedswitchingtime ■Highcollectorcurrentcapab	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
PBSS4032SPN	文件：1.17075 Mbytes Page：20 Pages	30VNPN/PNPlowVCEsat(BISS)transistor Featuresandbenefits Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat Optimizedswitchingtime HighcollectorcurrentcapabilityICandICM Highcollectorcurrentgain(hFE)athighIC Highefficiencyduetolessheatgeneration SmallerrequiredPrinted-CircuitBoard(PCB)areat	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA

详细参数

型号：
PBSS4032PZ
制造商：
NXP Semiconductors
功能描述：
TRANSISTORPNP30V4.4ASOT223
功能描述：
TRANSISTOR,PNP,30V,4.4A,SOT223
功能描述：
TRANSISTOR,PNP,30V,4.4A,SOT223; Transistor
Polarity：
PNP; Collector Emitter Voltage
V(br)ceo：
-30V; Transition Frequency Typ
ft：
130MHz; Power Dissipation
Pd：
700mW; DC Collector
Current：
-4.4A; DC Current Gain
hFE：
350; No. of
Pins：
4 ;RoHS
Compliant：
Yes

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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