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PBSS4032PZ	文件：733.02 Kbytes Page：15 Pages	丝印：PB4032PZ；Package：SC-73；30 V, 4.4 A PNP low VCEsat (BISS) transistor Features and benefits * Low collector-emitter saturation voltage VCEsat * Optimized switching time * High collector current capability IC and ICM * High collector current gain (hFE) at high IC * High energy efficiency due to less heat generation * AEC-Q101 qualified * Smaller required Print 文件：733.02 Kbytes 页数：15 Pages	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS4032PZ	文件：199.4 Kbytes Page：15 Pages	30 V, 4.4 A PNP low VCEsat (BISS) transistor 文件：199.4 Kbytes 页数：15 Pages	PHI 飞利浦	PHI
PBSS4032PZ-Q	文件：303.85 Kbytes Page：14 Pages	丝印：PB4032PZ；Package：SOT223；30 V, 4.4 A PNP low VCEsat transistor 1. General description PNP low VCEsat transistor in a medium power SOT223 (SC-73) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. NPN complement: PBSS4032NZ-Q 2. Features and benefits • Low collector-emitter saturation voltage VCEsat • Optimized switching time • High collector current capab 文件：303.85 Kbytes 页数：14 Pages	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS4032PZ_15	文件：199.4 Kbytes Page：15 Pages	30 V, 4.4 A PNP low VCEsat (BISS) transistor 文件：199.4 Kbytes 页数：15 Pages	PHI 飞利浦	PHI
PBSS4032PZ	文件：300 bytes Page：1 Pages	30 V, 4.4 A PNP low VCEsat (BISS) transistor PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a medium power SOT223 (SC-73) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.\n NPN complement: PBSS4032NZ. • Low collector-emitter saturation voltage VCEsat\n• Optimized switching time\n• High collector current capability IC and ICM\n• High collector current gain (hFE) at high IC\n• High energy efficiency due to less heat generation\n• AEC-Q101 qualified\n• Smaller required Printed-Circuit Board (PCB) ar;	Nexperia 安世	Nexperia
PBSS4032PZ-Q	文件：300 bytes Page：1 Pages	30 V, 4.4 A PNP low VCEsat transistor	Nexperia 安世	Nexperia
PBSS4032PZ,115	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-261-4，TO-261AA；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 30V 4.4A SOT223	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA

技术参数

Package version：
SOT223
Package name：
SC-73
Size (mm)：
6.5 x 3.5 x 1.65
transistor polarity：
PNP
P_tot [max] (mW)：
2000
V_CEO [max] (V)：
-30
I_C [max] (A)：
-4.4
I_CM [max] (A)：
-10
h_FE [min]：
200
h_FE [typ]：
350
f_T [typ] (MHz)：
130
R_CEsat [typ] (mΩ)：
58
R_CEsat [max] (mΩ)：
86
V_CEsat [max] (mV)：
-400

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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