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PBSS4032PZ	文件：733.02 Kbytes Page：15 Pages	Marking：PB4032PZ；Package：SC-73；30 V, 4.4 A PNP low VCEsat (BISS) transistor Featuresandbenefits Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat Optimizedswitchingtime HighcollectorcurrentcapabilityICandICM Highcollectorcurrentgain(hFE)athighIC Highenergyefficiencyduetolessheatgeneration AEC-Q101qualified *SmallerrequiredPrint	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS4032PZ-Q	文件：303.85 Kbytes Page：14 Pages	Marking：PB4032PZ；Package：SOT223；30 V, 4.4 A PNP low VCEsat transistor 1.Generaldescription PNPlowVCEsattransistorinamediumpowerSOT223(SC-73)Surface-MountedDevice(SMD) plasticpackage. NPNcomplement:PBSS4032NZ-Q 2.Featuresandbenefits •Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat •Optimizedswitchingtime •Highcollectorcurrentcapab	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA

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Marking：PB4032PZ；Package：SC-73；30 V, 4.4 A PNP low VCEsat (BISS) transistor

Featuresandbenefits *Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat *Optimizedswitchingtime *HighcollectorcurrentcapabilityICandICM *Highcollectorcurrentgain(hFE)athighIC *Highenergyefficiencyduetolessheatgeneration *AEC-Q101qualified *SmallerrequiredPrint

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文件：303.85 Kbytes

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Marking：PB4032PZ；Package：SOT223；30 V, 4.4 A PNP low VCEsat transistor

1.Generaldescription PNPlowVCEsattransistorinamediumpowerSOT223(SC-73)Surface-MountedDevice(SMD) plasticpackage. NPNcomplement:PBSS4032NZ-Q 2.Featuresandbenefits •Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat •Optimizedswitchingtime •Highcollectorcurrentcapab

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更多PB4032PZ供应商更新时间2025-5-17 10:20:00

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