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PBSS5350Z	文件：249.49 Kbytes Page：12 Pages	丝印：PB5350；Package：SC-73；50 V, 3 A PNP low VCEsat (BISS) transistor 1. General description PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a medium power SOT223 (SC-73) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. NPN complement: PBSS4350Z 2. Features and benefits • Low collector-emitter saturation voltage VCEsat • High collector current 文件：249.49 Kbytes 页数：12 Pages	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PB5350	文件：156.52 Kbytes Page：9 Pages	50 V low VCEsat PNP transistor 文件：156.52 Kbytes 页数：9 Pages	PHI 飞利浦	PHI

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更多PB5350供应商更新时间2025-8-14 15:01:00