PBSS8110Z芯片代码丝印对应型号-114ic电子网

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PBSS8110Z	文件：269.32 Kbytes Page：15 Pages	丝印：PB8110；Package：SC-73；100 V, 1 A NPN low VCEsat (BISS) transistor Features * Low collector-emitter saturation voltage VCEsat * High collector current capability IC and ICM * High collector current gain (hFE) at high IC * High efficiency due to less heat generation * Smaller required Printed-Circuit Board (PCB) area than for conventional transistors 文件：269.32 Kbytes 页数：15 Pages	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA

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