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PBSS4032PD数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF
| 厂商型号 |
PBSS4032PD |
| 参数属性 | PBSS4032PD 封装/外壳为SC-74，SOT-457；包装为散装；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS PNP 30V 2.7A 6TSOP |
| 功能描述 | 30 V, 2.7 A PNP low VCEsat (BISS) transistor |
| 封装外壳 | SC-74，SOT-457 |
| 制造商 | Nexperia Nexperia B.V. All rights reserved |
| 中文名称 | 安世 安世半导体(中国)有限公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-7 23:00:00 |
| 人工找货 | PBSS4032PD价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
PBSS4032PD规格书详情
描述 Description
PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT457 Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.
特性 Features
• AEC-Q101 qualified
• Energy saving due to less heat generation
• High collector current capability IC and ICM
• High collector current gain (hFE) at high IC
• Low collector-emitter saturation voltage VCEsat
• Smaller required PCB area than for conventional transistors
• Switching time optimized
应用 Application
• Battery-driven devices
• Charging circuits
• DC-to-DC conversion
• Power management
技术参数
- 制造商编号
：PBSS4032PD
- 生产厂家
：Nexperia
- Package name
：TSOP6
- Size (mm)
：2.9 x 1.5 x 1
- Polarity
：PNP
- Ptot [max] (mW)
：1000
- VCEO [max] (V)
：-30
- IC [max] (A)
：-2.7
- ICM [max] (A)
：-5
- hFE [min]
：200
- hFE [typ]
：350
- fT [typ] (MHz)
：104
- RCEsat [typ] (mΩ)
：88
- RCEsat [max] (mΩ)
：130
- VCEsat [max] (mV)
：-420
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NEXPERIA/安世 |
24+ |
NA/ |
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NEXPERIA/安世 |
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SOT23-6L |
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恩XP |
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恩XP |
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QFN40 |
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恩XP |
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SOT-457 |
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NEXP |
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恩XP |
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SOT23-6L |
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恩XP |
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SOT-457 |
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NEXPERIA/安世 |
23+ |
SOT457 |
50000 |
原装正品 支持实单 |
询价 |
