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PBSS4032NZ数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF
| 厂商型号 |
PBSS4032NZ |
| 参数属性 | PBSS4032NZ 封装/外壳为TO-261-4，TO-261AA；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS NPN 30V 4.9A SOT223 |
| 功能描述 | 30 V, 4.9 A NPN low VCEsat (BISS) transistor |
| 封装外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
| 制造商 | Nexperia Nexperia B.V. All rights reserved |
| 中文名称 | 安世 安世半导体(中国)有限公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-7 23:00:00 |
| 人工找货 | PBSS4032NZ价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
PBSS4032NZ规格书详情
描述 Description
NPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a medium power SOT223 (SC-73) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.
PNP complement: PBSS4032PZ.
特性 Features
• Low collector-emitter saturation voltage VCEsat
• Optimized switching time
• High collector current capability IC and ICM
• High collector current gain (hFE) at high IC
• High energy efficiency due to less heat generation
• AEC-Q101 qualified
• Smaller required Printed-Circuit Board (PCB) area than for conventional transistors
应用 Application
• DC-to-DC conversion
• Battery-driven devices
• Power management
• Charging circuits
技术参数
- 制造商编号
：PBSS4032NZ
- 生产厂家
：Nexperia
- Package name
：SC-73
- Size (mm)
：6.5 x 3.5 x 1.65
- Polarity
：NPN
- Ptot (mW)
：700
- VCEO [max] (V)
：30
- IC [max] (mA)
：4900
- hFE [min]
：300
- Tj [max] (°C)
：150
- Automotive qualified
：Y
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
恩XP |
24+ |
NA/ |
235 |
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询价 | ||
Nexperia(安世) |
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SOT223 |
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恩XP |
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QFN40 |
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NEXPERIA/安世 |
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SOT-223 |
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恩XP |
23+ |
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恩XP |
24+ |
QFN40 |
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恩XP |
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SOT-89 |
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NEXPERIA |
23+ |
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恩XP |
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SOT-89 |
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NEXPERIA/安世 |
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SOT223 |
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