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PBSS4032PT中文资料30 V, 2.4 A PNP low VCEsat (BISS) transistor数据手册Nexperia规格书
| 厂商型号 |
PBSS4032PT |
| 参数属性 | PBSS4032PT 封装/外壳为TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS PNP 30V 2.4A TO236AB |
| 功能描述 | 30 V, 2.4 A PNP low VCEsat (BISS) transistor |
| 封装外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 制造商 | Nexperia Nexperia B.V. All rights reserved |
| 中文名称 | 安世 安世半导体(中国)有限公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-23 22:59:00 |
| 人工找货 | PBSS4032PT价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
PBSS4032PT规格书详情
描述 Description
PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT23 (TO-236AB) small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.
NPN complement: PBSS4032NT.
特性 Features
• Low collector-emitter saturation voltage VCEsat
• Optimized switching time
• High collector current capability IC and ICM
• High collector current gain (hFE) at high IC
• High energy efficiency due to less heat generation
• AEC-Q101 qualified
• Smaller required Printed-Circuit Board (PCB) area than for conventional transistors
应用 Application
• DC-to-DC conversion
• Battery-driven devices
• Power management
• Charging circuits
技术参数
- 制造商编号
：PBSS4032PT
- 生产厂家
：Nexperia
- Package name
：SOT23
- Size (mm)
：2.9 x 1.3 x 1
- Polarity
：PNP
- Ptot [max] (mW)
：1100
- VCEO [max] (V)
：-30
- IC [max] (A)
：-2.4
- ICM [max] (A)
：-5
- hFE [min]
：200
- hFE [typ]
：320
- fT [typ] (MHz)
：160
- RCEsat [typ] (mΩ)
：110
- RCEsat [max] (mΩ)
：165
- VCEsat [max] (mV)
：-375
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
恩XP |
24+ |
SOT-23 |
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NEXPERIA |
23+ |
SOT23 |
20000 |
询价 |
