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PBSS4032PT	文件：181.22 Kbytes Page：14 Pages	30 V, 2.4 A PNP low VCEsat (BISS) transistor General description PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT23 (TO-236AB) small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. NPN complement: PBSS4032NT. Features ■ Low collector-emitter saturation voltage VCEsat ■ Optimized switching time ■ High collector curre 文件：181.22 Kbytes 页数：14 Pages	恩XP	恩XP
PBSS4032PT	文件：294.56 Kbytes Page：15 Pages	丝印：BN；Package：SOT23；30 V, 2.4 A PNP low VCEsat (BISS) transistor Features * Low collector-emitter saturation voltage VCEsat * Optimized switching time * High collector current capability IC and ICM * High collector current gain (hFE) at high IC * High energy efficiency due to less heat generation * AEC-Q101 qualified * Smaller required Printed-Circuit Bo 文件：294.56 Kbytes 页数：15 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PBSS4032PT	文件：181.22 Kbytes Page：14 Pages	30 V, 2.4 A PNP low VCEsat (BISS) transistor Rev. 01 ??18 December 2009 文件：181.22 Kbytes 页数：14 Pages	PHI 飞利浦	PHI
PBSS4032PT-Q	文件：280.35 Kbytes Page：14 Pages	丝印：BN；Package：SOT23；30 V, 2.4 A PNP low VCEsat transistor 1. General description PNP low VCEsat transistor in a SOT23 small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. NPN complement: PBSS4032NT-Q 2. Features and benefits • Low collector-emitter saturation voltage VCEsat • Optimized switching time • High collector current capability IC and ICM 文件：280.35 Kbytes 页数：14 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PBSS4032PT_15	文件：181.22 Kbytes Page：14 Pages	30 V, 2.4 A PNP low VCEsat (BISS) transistor 文件：181.22 Kbytes 页数：14 Pages	PHI 飞利浦	PHI
PBSS4032PT-215	文件：181.22 Kbytes Page：14 Pages	30 V, 2.4 A PNP low VCEsat (BISS) transistor Rev. 01 ??18 December 2009 文件：181.22 Kbytes 页数：14 Pages	PHI 飞利浦	PHI
PBSS4032PT	文件：300 bytes Page：1 Pages	30 V, 2.4 A PNP low VCEsat (BISS) transistor PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT23 (TO-236AB) small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.\n NPN complement: PBSS4032NT. • Low collector-emitter saturation voltage VCEsat\n• Optimized switching time\n• High collector current capability IC and ICM\n• High collector current gain (hFE) at high IC\n• High energy efficiency due to less heat generation\n• AEC-Q101 qualified\n• Smaller required Printed-Circuit Board (PCB) ar;	Nexperia 安世	Nexperia
PBSS4032PT	文件：300 bytes Page：1 Pages	30 V, 2.4 A PNP low VCEsat (BISS) transistor	恩XP	恩XP
PBSS4032PT-Q	文件：300 bytes Page：1 Pages	30 V, 2.4 A PNP low VCEsat transistor	Nexperia 安世	Nexperia
PBSS4032PT,215	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 30V 2.4A TO236AB	NEXPERIA 安世	NEXPERIA

技术参数

Package name：
SOT23
Size (mm)：
2.9 x 1.3 x 1
Polarity：
PNP
Ptot [max] (mW)：
1100
VCEO [max] (V)：
-30
IC [max] (A)：
-2.4
ICM [max] (A)：
-5
hFE [min]：
200
hFE [typ]：
320
fT [typ] (MHz)：
160
RCEsat [typ] (mΩ)：
110
RCEsat [max] (mΩ)：
165
VCEsat [max] (mV)：
-375

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	PBSS4032PT	恩XP	25+	SOT-23	38142	NXP/恩智浦全新特价PBSS4032PT即刻询购立享优惠#长期有货	询价
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