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PBSS302PD	文件：149.95 Kbytes Page：14 Pages	40V,4APNPlowVCEsat(BISS)transistor Generaldescription PNPlowVCEsatBreakthroughInSmallSignal(BISS)transistorinaSOT457(SC-74)smallSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. NPNcomplement:PBSS302ND. Features ■Ultralowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat ■4AcontinuouscollectorcurrentcapabilityI	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
PBSS302PD	文件：264.57 Kbytes Page：15 Pages	40V,4APNPlowVCEsat(BISS)transistor 1.1Generaldescription PNPlowVCEsatBreakthroughInSmallSignal(BISS)transistorinaSOT457(SC-74) smallSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. NPNcomplement:PBSS302ND. 1.2Features Ultralowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat 4Acontinuouscollectorcurrentc	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS302PD-Q	文件：306.81 Kbytes Page：14 Pages	40V,4APNPlowVCEsattransistor 1.Generaldescription PNPlowVCEsattransistorinaSOT457(SC-74)smallSurface-MountedDevice(SMD)plastic package. NPNcomplement:PBSS302ND-Q 2.Featuresandbenefits •Ultralowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat •4AcontinuouscollectorcurrentcapabilityIC •Upto15	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS302PX	文件：197.43 Kbytes Page：15 Pages	20V,5.1APNPlowVCEsat(BISS)transistor	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
PBSS302PX	文件：310.75 Kbytes Page：16 Pages	20V,5.1APNPlowVCEsat(BISS)transistor Features Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat HighcollectorcurrentcapabilityICandICM Highcollectorcurrentgain(hFE)athighIC Highefficiencyduetolessheatgeneration *SmallerrequiredPrinted-CircuitBoard(PCB)areathanforconventionaltransistors	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS302PZ	文件：172.24 Kbytes Page：14 Pages	20V,5.5APNPlowVCEsat(BISS)transistor Generaldescription PNPlowVCEsatBreakthroughInSmallSignal(BISS)transistorinaSOT223(SC-73)smallSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. NPNcomplement:PBSS302NZ. Features ■Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat ■HighcollectorcurrentcapabilityICandICM ■Hig	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
PBSS302PZ	文件：285.71 Kbytes Page：15 Pages	20V,5.5APNPlowVCEsat(BISS)transistor Features Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat HighcollectorcurrentcapabilityICandICM Highcollectorcurrentgain(hFE)athighIC Highefficiencyduetolessheatgeneration *SmallerrequiredPrinted-CircuitBoard(PCB)areathanforconventionaltransistors	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS302PZ-Q	文件：273.07 Kbytes Page：14 Pages	20V,5.5APNPlowVCEsattransistor 1.Generaldescription PNPlowVCEsattransistorinaSOT223(SC-73)smallSurface-MountedDevice(SMD)plastic package. NPNcomplement:PBSS302NZ-Q 2.Featuresandbenefits •Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat •HighcollectorcurrentcapabilityICandICM •Highcollectorc	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBY302	文件：160.63 Kbytes Page：2 Pages	Silicon-PowerRectifiers Silicon-PowerRectifiers •Nominalcurrent35A •Repetitivepeakreversevoltage50~1000V •MetalcaseDO-5 •Weightapprox.6g •Standardpolarity:Cathodetostud •IndexR:Anodetostud •Standardpackaging:bulk	Diotec Diotec Semiconductor	Diotec
PBY302	文件：129.13 Kbytes Page：2 Pages	Silicon-Power-Rectifiers	Diotec Diotec Semiconductor	Diotec

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详细参数

型号：
PBSS302ND
制造商：
NXP Semiconductors
功能描述：
TRANSISTOR NPN 40V 4A SSOT-6

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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