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PBSS302PZ-Q中文资料安世数据手册PDF规格书

PBSS302PZ-Q
厂商型号

PBSS302PZ-Q

功能描述

20 V, 5.5 A PNP low VCEsat transistor

丝印标识

S302PZ

封装外壳

SOT223

文件大小

273.07 Kbytes

页面数量

14

生产厂商 Nexperia B.V. All rights reserved
企业简称

NEXPERIA安世

中文名称

安世半导体(中国)有限公司官网

原厂标识
NEXPERIA
数据手册

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更新时间

2025-8-1 23:00:00

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PBSS302PZ-Q规格书详情

1. General description

PNP low VCEsat transistor in a SOT223 (SC-73) small Surface-Mounted Device (SMD) plastic

package.

NPN complement: PBSS302NZ-Q

2. Features and benefits

• Low collector-emitter saturation voltage VCEsat

• High collector current capability IC and ICM

• High collector current gain (hFE) at high IC

• High efficiency due to less heat generation

• Qualified according to AEC-Q101 and recommended for use in automotive applications

3. Applications

• DC-to-DC conversion

• MOSFET gate driving

• Motor control

• Charging circuits

• Power switches (e.g. motors, fans)

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