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PBSS301NZ分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

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厂商型号

PBSS301NZ

参数属性

PBSS301NZ 封装/外壳为TO-261-4,TO-261AA;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 12V 5.8A SOT223

功能描述

12 V, 5.8 A NPN low VCEsat (BISS) transistor

丝印标识

S301NZ

封装外壳

SC-73 / TO-261-4,TO-261AA

文件大小

286.12 Kbytes

页面数量

15

生产厂商

NEXPERIA

中文名称

安世

网址

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数据手册

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更新时间

2025-11-11 10:42:00

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PBSS301NZ规格书详情

特性 Features

* Low collector-emitter saturation voltage VCEsat

* High collector current capability IC and ICM

* High collector current gain (hFE) at high IC

* High efficiency due to less heat generation

* Smaller required Printed-Circuit Board (PCB) area than for conventional transistors

产品属性

  • 产品编号:

    PBSS301NZ,135

  • 制造商:

    Nexperia USA Inc.

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    235mV @ 290mA,5.8A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    250 @ 2A,2V

  • 频率 - 跃迁:

    140MHz

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-261-4,TO-261AA

  • 供应商器件封装:

    SOT-223

  • 描述:

    TRANS NPN 12V 5.8A SOT223

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