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丝印:S301NZ;Package:SC-73;12 V, 5.8 A NPN low VCEsat (BISS) transistor Features * Low collector-emitter saturation voltage VCEsat * High collector current capability IC and ICM * High collector current gain (hFE) at high IC * High efficiency due to less heat generation * Smaller required Printed-Circuit Board (PCB) area than for conventional transistors 文件:286.12 Kbytes 页数:15 Pages | NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司 | NEXPERIA |
详细参数
- 型号:
S301NZ
- 功能描述:
两极晶体管 - BJT TRANS BISS TAPE-7
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶体管极性:
PNP 集电极—基极电压
- VCBO:
集电极—发射极最大电压
- VCEO:
- 40 V 发射极 - 基极电压
- VEBO:
- 6 V
- 增益带宽产品fT:
直流集电极/Base Gain hfe
- Min:
100 A
- 安装风格:
SMD/SMT
- 封装/箱体:
PowerFLAT 2 x 2
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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NEXPERIA/安世 |
25+ |
SOT-223 |
38127 |
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NEXPERIA/安世 |
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原厂渠道 可含税出货 |
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NEXPERIA/安世 |
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SOT-223 |
120000 |
原装正品 可含税交易 |
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50000 |
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