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PBSS303PZ	文件：285.51 Kbytes Page：15 Pages	丝印：S303PZ；Package：SC-73；30 V, 5.3 A PNP low VCEsat (BISS) transistor Features * Low collector-emitter saturation voltage VCEsat * High collector current capability IC and ICM * High collector current gain (hFE) at high IC * High efficiency due to less heat generation * Smaller required Printed-Circuit Board (PCB) area than for conventional transistors 文件：285.51 Kbytes 页数：15 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PBSS303PZ-Q	文件：273.43 Kbytes Page：14 Pages	丝印：S303PZ；Package：SOT223；30 V, 5.3 A PNP low VCEsat transistor 1. General description PNP low VCEsat transistor in a SOT223 (SC-73) small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. NPN complement: PBSS303NZ-Q 2. Features and benefits • Low collector-emitter saturation voltage VCEsat • High collector current capability IC and ICM • High collector c 文件：273.43 Kbytes 页数：14 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA

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更多S303PZ供应商更新时间2025-12-21 14:14:00