PBSS303PZ分立半导体产品晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
PBSS303PZ |
| 参数属性 | PBSS303PZ 封装/外壳为TO-261-4，TO-261AA；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个；产品描述：TRANS PNP 30V 5.3A SOT223 |
| 功能描述 | 30 V, 5.3 A PNP low VCEsat (BISS) transistor |
| 文件大小 |
285.51 Kbytes |
| 页面数量 |
15 页 |
| 生产厂商 | Nexperia B.V. All rights reserved |
| 企业简称 |
NEXPERIA【安世】 |
| 中文名称 | 安世半导体(中国)有限公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2024-6-7 18:29:00 |
PBSS303PZ规格书详情
Features
* Low collector-emitter saturation voltage VCEsat
* High collector current capability IC and ICM
* High collector current gain (hFE) at high IC
* High efficiency due to less heat generation
* Smaller required Printed-Circuit Board (PCB) area than for conventional transistors
PBSS303PZ属于分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个。安世半导体(中国)有限公司制造生产的PBSS303PZ晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。
产品属性
- 产品编号：
PBSS303PZ,135
- 制造商：
Nexperia USA Inc.
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型：
PNP
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
265mV @ 265mA，5.3A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
250 @ 1A，2V
- 频率 - 跃迁：
130MHz
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-261-4，TO-261AA
- 供应商器件封装：
SOT-223
- 描述：
TRANS PNP 30V 5.3A SOT223
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NXP(恩智浦) |
2017+ |
SOT-223 |
1000 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
NEXPERIA/安世 |
21+ |
SOT223 |
13880 |
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NXP/恩智浦 |
21+ |
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NEXPERIA |
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SMD |
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NXP(恩智浦) |
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NXP(恩智浦) |
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NXP/恩智浦 |
SOT223 |
7906200 |
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NEXPERIA/安世 |
22+ |
SMD |
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NXP |
22+23+ |
SOT223 |
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