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PBSS302PZ分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

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厂商型号

PBSS302PZ

参数属性

PBSS302PZ 封装/外壳为TO-261-4,TO-261AA;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 20V 5.5A SOT223

功能描述

20 V, 5.5 A PNP low VCEsat (BISS) transistor

封装外壳

TO-261-4,TO-261AA

文件大小

172.24 Kbytes

页面数量

14

生产厂商

恩XP

数据手册

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更新时间

2025-12-17 18:35:00

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PBSS302PZ规格书详情

General description

PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT223 (SC-73) small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.

NPN complement: PBSS302NZ.

特性 Features

■ Low collector-emitter saturation voltage VCEsat

■ High collector current capability IC and ICM

■ High collector current gain (hFE) at high IC

■ High efficiency due to less heat generation

■ Smaller required Printed-Circuit Board (PCB) area than for conventional transistors

Applications

■ DC-to-DC conversion

■ MOSFET gate driving

■ Motor control

■ Charging circuits

■ Power switches (e.g. motors, fans)

产品属性

  • 产品编号:

    PBSS302PZ,135

  • 制造商:

    ETC

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    265mV @ 275mA,5.5A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    200 @ 2A,2V

  • 频率 - 跃迁:

    130MHz

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-261-4,TO-261AA

  • 供应商器件封装:

    SOT-223

  • 描述:

    TRANS PNP 20V 5.5A SOT223

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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