PBSS302PZ分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

| 厂商型号 |
PBSS302PZ |
| 参数属性 | PBSS302PZ 封装/外壳为TO-261-4,TO-261AA;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 20V 5.5A SOT223 |
| 功能描述 | 20 V, 5.5 A PNP low VCEsat (BISS) transistor |
| 封装外壳 | TO-261-4,TO-261AA |
| 文件大小 |
172.24 Kbytes |
| 页面数量 |
14 页 |
| 生产厂商 | 恩XP |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-12-17 18:35:00 |
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PBSS302PZ规格书详情
General description
PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT223 (SC-73) small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.
NPN complement: PBSS302NZ.
特性 Features
■ Low collector-emitter saturation voltage VCEsat
■ High collector current capability IC and ICM
■ High collector current gain (hFE) at high IC
■ High efficiency due to less heat generation
■ Smaller required Printed-Circuit Board (PCB) area than for conventional transistors
Applications
■ DC-to-DC conversion
■ MOSFET gate driving
■ Motor control
■ Charging circuits
■ Power switches (e.g. motors, fans)
产品属性
- 产品编号:
PBSS302PZ,135
- 制造商:
ETC
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 包装:
卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型:
PNP
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
265mV @ 275mA,5.5A
- 电流 - 集电极截止(最大值):
100nA(ICBO)
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
200 @ 2A,2V
- 频率 - 跃迁:
130MHz
- 工作温度:
150°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
TO-261-4,TO-261AA
- 供应商器件封装:
SOT-223
- 描述:
TRANS PNP 20V 5.5A SOT223
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NEXPERIA/安世 |
25+ |
SOT-223 |
38129 |
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恩XP |
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SOT223 |
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恩XP |
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SOT-223 |
2835 |
原厂原装正品 |
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