PBSS301ND分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

厂商型号 |
PBSS301ND |
参数属性 | PBSS301ND 封装/外壳为SC-74,SOT-457;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 20V 4A 6TSOP |
功能描述 | 20 V, 4 A NPN low VCEsat (BISS) transistor |
丝印标识 | |
封装外壳 | SC-74 / SC-74,SOT-457 |
文件大小 |
250.2 Kbytes |
页面数量 |
15 页 |
生产厂商 | Nexperia B.V. All rights reserved |
企业简称 |
NEXPERIA【安世】 |
中文名称 | 安世半导体(中国)有限公司官网 |
原厂标识 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-2 20:00:00 |
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PBSS301ND规格书详情
1.1 General description
NPN low VCEsat Breakthrough in Small Signal (BISS) transistor in a SOT457 (SC-74)
Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.
PNP complement: PBSS301PD.
1.2 Features
* Very low collector-emitter saturation resistance
* Ultra low collector-emitter saturation voltage
* 4 A continuous collector current
* Up to 15 A peak current
* High efficiency due to less heat generation
1.3 Applications
* Power management functions
* Charging circuits
* DC-to-DC conversion
* MOSFET gate driving
* Power switches (e.g. motors, fans)
* Thin Film Transistor (TFT) backlight inverter
产品属性
- 产品编号:
PBSS301ND,115
- 制造商:
Nexperia USA Inc.
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 包装:
卷带(TR)
- 晶体管类型:
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
420mV @ 600mA,6A
- 电流 - 集电极截止(最大值):
100nA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
250 @ 2A,2V
- 频率 - 跃迁:
100MHz
- 工作温度:
150°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
SC-74,SOT-457
- 供应商器件封装:
6-TSOP
- 描述:
TRANS NPN 20V 4A 6TSOP
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
恩XP |
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