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PBSS301ND	文件：119.86 Kbytes Page：16 Pages	20 V, 4 A NPN low VCEsat (BISS) transistor Generaldescription NPNlowVCEsatBreakthroughinSmallSignal(BISS)transistorinaSOT457(SC-74)SMDplasticpackage. PNPcomplement:PBSS301PD. Features ■Verylowcollector-emittersaturationresistance ■Ultralowcollector-emittersaturationvoltage ■4Acontinuouscollectorcurren	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PBSS301ND	文件：250.2 Kbytes Page：15 Pages	Marking：C6；Package：SC-74；20 V, 4 A NPN low VCEsat (BISS) transistor 1.1Generaldescription NPNlowVCEsatBreakthroughinSmallSignal(BISS)transistorinaSOT457(SC-74) Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. PNPcomplement:PBSS301PD. 1.2Features Verylowcollector-emittersaturationresistance Ultralowcollector-emittersaturationvoltag	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS301ND,115	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：SC-74，SOT-457；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 20V 4A 6TSOP	Nexperia USA Inc. Nexperia USA Inc.	Nexperia USA Inc.
PBSS301NX	文件：310.99 Kbytes Page：16 Pages	12V,5.3ANPNlowVCEsat(BISS)transistor Features Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat HighcollectorcurrentcapabilityICandICM Highcollectorcurrentgain(hFE)athighIC Highefficiencyduetolessheatgeneration *SmallerrequiredPrinted-CircuitBoard(PCB)areathanforconventionaltransistors	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS301NZ	文件：286.12 Kbytes Page：15 Pages	12V,5.8ANPNlowVCEsat(BISS)transistor Features Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat HighcollectorcurrentcapabilityICandICM Highcollectorcurrentgain(hFE)athighIC Highefficiencyduetolessheatgeneration *SmallerrequiredPrinted-CircuitBoard(PCB)areathanforconventionaltransistors	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS301PD	文件：250.42 Kbytes Page：15 Pages	20V,4APNPlowVCEsat(BISS)transistor 1.1Generaldescription PNPlowVCEsatBreakthroughInSmallSignal(BISS)transistorinaSOT457(SC-74) Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. NPNcomplement:PBSS301ND. 1.2Features Verylowcollector-emittersaturationresistance Ultralowcollector-emittersaturationvoltag	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS301PX	文件：310.25 Kbytes Page：16 Pages	12V,5.3APNPlowVCEsat(BISS)transistor 1.1Generaldescription PNPlowVCEsatBreakthroughInSmallSignal(BISS)transistorinaSOT89 (SC-62/TO-243)smallandflatleadSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. NPNcomplement:PBSS301NX. 1.2Features ..Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat ..Highcollectorcur	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS301PZ	文件：285.22 Kbytes Page：15 Pages	12V,5.7APNPlowVCEsat(BISS)transistor Features Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat HighcollectorcurrentcapabilityICandICM Highcollectorcurrentgain(hFE)athighIC Highefficiencyduetolessheatgeneration *SmallerrequiredPrinted-CircuitBoard(PCB)areathanforconventionaltransistors	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBY301	文件：160.63 Kbytes Page：2 Pages	Silicon-PowerRectifiers Silicon-PowerRectifiers •Nominalcurrent35A •Repetitivepeakreversevoltage50~1000V •MetalcaseDO-5 •Weightapprox.6g •Standardpolarity:Cathodetostud •IndexR:Anodetostud •Standardpackaging:bulk	Diotec Diotec Semiconductor	Diotec
PBY301	文件：129.13 Kbytes Page：2 Pages	Silicon-Power-Rectifiers	Diotec Diotec Semiconductor	Diotec

详细参数

型号：
PBSS301ND
功能描述：
两极晶体管 - BJT NPN 20V 4A LOW SAT
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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