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PBSS302PZ	文件：172.24 Kbytes Page：14 Pages	20 V, 5.5 A PNP low VCEsat (BISS) transistor General description PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT223 (SC-73) small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. NPN complement: PBSS302NZ. Features ■ Low collector-emitter saturation voltage VCEsat ■ High collector current capability IC and ICM ■ Hig 文件：172.24 Kbytes 页数：14 Pages	恩XP	恩XP
PBSS302PZ	文件：285.71 Kbytes Page：15 Pages	丝印：S302PZ；Package：SC-73；20 V, 5.5 A PNP low VCEsat (BISS) transistor Features * Low collector-emitter saturation voltage VCEsat * High collector current capability IC and ICM * High collector current gain (hFE) at high IC * High efficiency due to less heat generation * Smaller required Printed-Circuit Board (PCB) area than for conventional transistors 文件：285.71 Kbytes 页数：15 Pages	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS302PZ-Q	文件：273.07 Kbytes Page：14 Pages	丝印：S302PZ；Package：SOT223；20 V, 5.5 A PNP low VCEsat transistor 1. General description PNP low VCEsat transistor in a SOT223 (SC-73) small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. NPN complement: PBSS302NZ-Q 2. Features and benefits • Low collector-emitter saturation voltage VCEsat • High collector current capability IC and ICM • High collector c 文件：273.07 Kbytes 页数：14 Pages	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS302PZ	文件：300 bytes Page：1 Pages	20 V, 5.5 A PNP low VCEsat (BISS) transistor PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT223 (SC-73) small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. NPN complement: PBSS302NZ. • Low collector-emitter saturation voltage VCEsat\n• High collector current capability IC and ICM\n• High collector current gain (hFE) at high IC\n• High efficiency due to less heat generation\n• Smaller required Printed-Circuit Board (PCB) area than for conventional transistors\n• AEC-Q101 qualifie;	Nexperia 安世	Nexperia
PBSS302PZ-Q	文件：300 bytes Page：1 Pages	20 V, 5.5 A PNP low VCEsat transistor PNP low VCEsat transistor in a SOT223 (SC-73) small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.\n NPN complement: PBSS302NZ-Q	Nexperia 安世	Nexperia
PBSS302PZ,135	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-261-4，TO-261AA；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 20V 5.5A SOT223	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA

技术参数

Package name：
SC-73
Size (mm)：
6.5 x 3.5 x 1.65
Polarity：
PNP
Ptot [max] (mW)：
2000
VCEO [max] (V)：
-20
IC [max] (A)：
-5.5
ICM [max] (A)：
-11
hFE [min]：
250
hFE [typ]：
370
fT [typ] (MHz)：
130
RCEsat [typ] (mΩ)：
53
RCEsat [typ] (mΩ)：
35
RCEsat [max] (mΩ)：
80
RCEsat [max] (mΩ)：
50
VCEsat [max] (mV)：
-320

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多PBSS302PZ供应商更新时间2025-10-7 14:14:00

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