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PBSS302PD分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

PBSS302PD
厂商型号

PBSS302PD

参数属性

PBSS302PD 封装/外壳为SC-74,SOT-457;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 40V 4A 6TSOP

功能描述

40 V PNP low VCEsat (BISS) transistor

封装外壳

SC-74,SOT-457

文件大小

134.92 Kbytes

页面数量

14

生产厂商 Philips Semiconductors
企业简称

PHI飞利浦

中文名称

荷兰皇家飞利浦

原厂标识

PHILIPS

数据手册

下载地址一下载地址二

更新时间

2025-8-1 20:07:00

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PBSS302PD规格书详情

General description

PNP low VCEsat Breakthrough in Small Signal (BISS) single bipolar PNP transistor in a SOT457 (SC-74) SMD plastic package.

NPN complement: PBSS302ND

特性 Features

■ Ultra low collector-emitter saturation voltage VCEsat

■ 4 A continuous collector current capability IC (DC)

■ Up to 15 A peak current

■ Very low collector-emitter saturation resistance

■ High efficiency due to less heat generation

Applications

■ Power management functions

■ Charging circuits

■ DC-to-DC conversion

■ MOSFET gate driving

■ Power switches (e.g. motors, fans)

■ Thin Film Transistor (TFT) backlight inverter

产品属性

  • 产品编号:

    PBSS302PDH

  • 制造商:

    Nexperia USA Inc.

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    450mV @ 600mA,6A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    175 @ 2A,2V

  • 频率 - 跃迁:

    110MHz

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    SC-74,SOT-457

  • 供应商器件封装:

    6-TSOP

  • 描述:

    TRANS PNP 40V 4A 6TSOP

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