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PBSS302ND分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

PBSS302ND
厂商型号

PBSS302ND

参数属性

PBSS302ND 封装/外壳为SC-74,SOT-457;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 40V 4A 6TSOP

功能描述

40 V, 4 A NPN low VCEsat (BISS) transistor
TRANS NPN 40V 4A 6TSOP

丝印标识

C7

封装外壳

SC-74 / SC-74,SOT-457

文件大小

258.17 Kbytes

页面数量

15

生产厂商 Nexperia B.V. All rights reserved
企业简称

NEXPERIA安世

中文名称

安世半导体(中国)有限公司官网

原厂标识
NEXPERIA
数据手册

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更新时间

2025-8-1 23:00:00

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PBSS302ND规格书详情

PBSS302ND属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由安世半导体(中国)有限公司制造生产的PBSS302ND晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

1.1 General description

NPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT457 (SC-74)

small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.

PNP complement: PBSS302PD.

1.2 Features

* Ultra low collector-emitter saturation voltage VCEsat

* 4 A continuous collector current capability IC

* Up to 15 A peak current

* Very low collector-emitter saturation resistance

* High efficiency due to less heat generation

1.3 Applications

* Power management functions

* Charging circuits

* DC-to-DC conversion

* MOSFET gate driving

* Power switches (e.g. motors, fans)

* Thin Film Transistor (TFT) backlight inverter

产品属性

更多
  • 产品编号:

    PBSS302NDH

  • 制造商:

    Nexperia USA Inc.

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    450mV @ 600mA,6A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    250 @ 2A,2V

  • 频率 - 跃迁:

    150MHz

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    SC-74,SOT-457

  • 供应商器件封装:

    6-TSOP

  • 描述:

    TRANS NPN 40V 4A 6TSOP

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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