PBSS302ND分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

厂商型号 |
PBSS302ND |
参数属性 | PBSS302ND 封装/外壳为SC-74,SOT-457;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 40V 4A 6TSOP |
功能描述 | 40 V, 4 A NPN low VCEsat (BISS) transistor |
丝印标识 | |
封装外壳 | SC-74 / SC-74,SOT-457 |
文件大小 |
258.17 Kbytes |
页面数量 |
15 页 |
生产厂商 | Nexperia B.V. All rights reserved |
企业简称 |
NEXPERIA【安世】 |
中文名称 | 安世半导体(中国)有限公司官网 |
原厂标识 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-1 23:00:00 |
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PBSS302ND规格书详情
PBSS302ND属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由安世半导体(中国)有限公司制造生产的PBSS302ND晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。
1.1 General description
NPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT457 (SC-74)
small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.
PNP complement: PBSS302PD.
1.2 Features
* Ultra low collector-emitter saturation voltage VCEsat
* 4 A continuous collector current capability IC
* Up to 15 A peak current
* Very low collector-emitter saturation resistance
* High efficiency due to less heat generation
1.3 Applications
* Power management functions
* Charging circuits
* DC-to-DC conversion
* MOSFET gate driving
* Power switches (e.g. motors, fans)
* Thin Film Transistor (TFT) backlight inverter
产品属性
更多- 产品编号:
PBSS302NDH
- 制造商:
Nexperia USA Inc.
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 包装:
卷带(TR)
- 晶体管类型:
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
450mV @ 600mA,6A
- 电流 - 集电极截止(最大值):
100nA(ICBO)
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
250 @ 2A,2V
- 频率 - 跃迁:
150MHz
- 工作温度:
150°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
SC-74,SOT-457
- 供应商器件封装:
6-TSOP
- 描述:
TRANS NPN 40V 4A 6TSOP
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
恩XP |
24+ |
NA/ |
4365 |
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Nexperia(安世) |
24+ |
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恩XP |
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