PBSS2540M分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
PBSS2540M |
| 参数属性 | PBSS2540M 封装/外壳为3-XFDFN；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS NPN 40V 0.5A DFN1006B-3 |
| 功能描述 | 40 V, 0.5 A NPN low VCEsat (BISS) transistor |
| 丝印标识 | |
| 封装外壳 | DFN1006-3 / 3-XFDFN |
| 文件大小 |
182.14 Kbytes |
| 页面数量 |
10 页 |
| 生产厂商 | Nexperia B.V. All rights reserved |
| 企业简称 |
NEXPERIA【安世】 |
| 中文名称 | 安世半导体(中国)有限公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-7-31 20:00:00 |
| 人工找货 | PBSS2540M价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
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PBSS2540M规格书详情
PBSS2540M属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由安世半导体(中国)有限公司制造生产的PBSS2540M晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。
1. General description
Low VCEsat NPN transistor in a SOT883 leadless ultra small plastic package.
PNP complement: PBSS3540M.
2. Features and benefits
• Low collector-emitter saturation voltage VCEsat
• High collector current capability IC and ICM
• High efficiency leading to reduced heat generation
• Reduced printed-circuit board requirements.
• AEC-Q101 qualified
3. Applications
• Power management:
• DC-DC converter
• Supply line switching
• Battery charger
• LCD backlighting.
• Peripheral driver:
• Driver in low supply voltage applications (e.g. lamps and LEDs).
• Inductive load drivers (e.g. relays, buzzers and motors).
产品属性
更多- 产品编号：
PBSS2540MB,315
- 制造商：
Nexperia USA Inc.
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型：
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
50mV @ 500µA，10mA
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
100µA（ICBO）
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
200 @ 10mA，2V
- 频率 - 跃迁：
450MHz
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
3-XFDFN
- 供应商器件封装：
DFN1006B-3
- 描述：
TRANS NPN 40V 0.5A DFN1006B-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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