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PBSS306PZ	文件：915.2 Kbytes Page：15 Pages	Marking：S306PZ；Package：SC-73；100 V, 4.1 A PNP low VCEsat (BISS) transistor Featuresandbenefits Lowcollector-emittersaturation voltageVCEsat Highcollectorcurrentcapability ICandICM Highcollectorcurrentgain(hFE)at highIC Highefficiencyduetolessheat generation SmallerPrinted-CircuitBoard(PCB) areathanforconventionaltransistors	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS306PZ-Q	文件：290.03 Kbytes Page：14 Pages	Marking：S306PZ；Package：SC-73；100 V, 4.1 A PNP low VCEsat transistor 1.Generaldescription PNPlowVCEsattransistorinaSOT223(SC-73)smallSurface-MountedDevice(SMD)plastic package. NPNcomplement:PBSS306NZ-Q 2.Featuresandbenefits •Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat •HighcollectorcurrentcapabilityICandICM •Highcollectorc	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA

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Marking：S306PZ；Package：SC-73；100 V, 4.1 A PNP low VCEsat (BISS) transistor

Featuresandbenefits Lowcollector-emittersaturation voltageVCEsat Highcollectorcurrentcapability ICandICM Highcollectorcurrentgain(hFE)at highIC Highefficiencyduetolessheat generation SmallerPrinted-CircuitBoard(PCB) areathanforconventionaltransistors

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PBSS306PZ-Q

文件：290.03 Kbytes

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Marking：S306PZ；Package：SC-73；100 V, 4.1 A PNP low VCEsat transistor

1.Generaldescription PNPlowVCEsattransistorinaSOT223(SC-73)smallSurface-MountedDevice(SMD)plastic package. NPNcomplement:PBSS306NZ-Q 2.Featuresandbenefits •Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat •HighcollectorcurrentcapabilityICandICM •Highcollectorc

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更多S306PZ供应商更新时间2025-5-23 16:06:00

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