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PBSS306PZ分立半导体产品晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

PBSS306PZ
厂商型号

PBSS306PZ

参数属性

PBSS306PZ 封装/外壳为TO-261-4,TO-261AA;包装为散装;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个;产品描述:TRANS PNP 100V 4.1A SOT223

功能描述

100 V, 4.1 A PNP low VCEsat (BISS) transistor
TRANS PNP 100V 4.1A SOT223

文件大小

915.2 Kbytes

页面数量

15

生产厂商 Nexperia B.V. All rights reserved
企业简称

NEXPERIA安世

中文名称

安世半导体(中国)有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-5-28 19:00:00

PBSS306PZ规格书详情

Features and benefits

 Low collector-emitter saturation

voltage VCEsat

 High collector current capability

IC and ICM

 High collector current gain (hFE) at

high IC

 High efficiency due to less heat

generation

 Smaller Printed-Circuit Board (PCB)

area than for conventional transistors

 AEC-Q101 qualified

PBSS306PZ属于分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个。安世半导体(中国)有限公司制造生产的PBSS306PZ晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

产品属性

  • 产品编号:

    PBSS306PZ,135

  • 制造商:

    Nexperia USA Inc.

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    325mV @ 410mA,4.1A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    100 @ 2A,2V

  • 频率 - 跃迁:

    100MHz

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-261-4,TO-261AA

  • 供应商器件封装:

    SOT-223

  • 描述:

    TRANS PNP 100V 4.1A SOT223

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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