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PBSS302NZ-Q	文件：271.57 Kbytes Page：13 Pages	20V,5.8ANPNlowVCEsattransistor 1.Generaldescription NPNlowVCEsattransistorinaSOT223(SC-73)smallSurface-MountedDevice(SMD)plastic package. 2.Featuresandbenefits •Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat •HighcollectorcurrentcapabilityICandICM •Highcollectorcurrentgain(hFE)athighIC	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS302PD	文件：134.92 Kbytes Page：14 Pages	40VPNPlowVCEsat(BISS)transistor Generaldescription PNPlowVCEsatBreakthroughinSmallSignal(BISS)singlebipolarPNPtransistorinaSOT457(SC-74)SMDplasticpackage. NPNcomplement:PBSS302ND Features ■Ultralowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat ■4AcontinuouscollectorcurrentcapabilityIC(DC) ■Up	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PBSS302PD	文件：264.57 Kbytes Page：15 Pages	40V,4APNPlowVCEsat(BISS)transistor 1.1Generaldescription PNPlowVCEsatBreakthroughInSmallSignal(BISS)transistorinaSOT457(SC-74) smallSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. NPNcomplement:PBSS302ND. 1.2Features Ultralowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat 4Acontinuouscollectorcurrentc	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS302PD-Q	文件：306.81 Kbytes Page：14 Pages	40V,4APNPlowVCEsattransistor 1.Generaldescription PNPlowVCEsattransistorinaSOT457(SC-74)smallSurface-MountedDevice(SMD)plastic package. NPNcomplement:PBSS302ND-Q 2.Featuresandbenefits •Ultralowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat •4AcontinuouscollectorcurrentcapabilityIC •Upto15	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS302PX	文件：310.75 Kbytes Page：16 Pages	20V,5.1APNPlowVCEsat(BISS)transistor Features Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat HighcollectorcurrentcapabilityICandICM Highcollectorcurrentgain(hFE)athighIC Highefficiencyduetolessheatgeneration *SmallerrequiredPrinted-CircuitBoard(PCB)areathanforconventionaltransistors	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS302PZ	文件：285.71 Kbytes Page：15 Pages	20V,5.5APNPlowVCEsat(BISS)transistor Features Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat HighcollectorcurrentcapabilityICandICM Highcollectorcurrentgain(hFE)athighIC Highefficiencyduetolessheatgeneration *SmallerrequiredPrinted-CircuitBoard(PCB)areathanforconventionaltransistors	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS302PZ-Q	文件：273.07 Kbytes Page：14 Pages	20V,5.5APNPlowVCEsattransistor 1.Generaldescription PNPlowVCEsattransistorinaSOT223(SC-73)smallSurface-MountedDevice(SMD)plastic package. NPNcomplement:PBSS302NZ-Q 2.Featuresandbenefits •Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat •HighcollectorcurrentcapabilityICandICM •Highcollectorc	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBY302	文件：160.63 Kbytes Page：2 Pages	Silicon-PowerRectifiers Silicon-PowerRectifiers •Nominalcurrent35A •Repetitivepeakreversevoltage50~1000V •MetalcaseDO-5 •Weightapprox.6g •Standardpolarity:Cathodetostud •IndexR:Anodetostud •Standardpackaging:bulk	DiotecDiotec Semiconductor 德欧泰克	Diotec
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PC302	文件：1.05464 Mbytes Page：2 Pages	low5mmprofile	PICKER Picker Components	PICKER

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