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PBSS3515E	文件：243.02 Kbytes Page：13 Pages	15V,0.5APNPlowVCEsat(BISS)transistor Features Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat HighcollectorcurrentcapabilityICandICM Highcollectorcurrentgain(hFE)athighIC Highefficiencyduetolessheatgeneration *SmallerrequiredPrinted-CircuitBoard(PCB)areathanforconventionaltransistors	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS3515F	文件：63.97 Kbytes Page：8 Pages	15VlowVCEsatPNPtransistor DESCRIPTION PNPlowVCEsattransistorinaSC-89(SOT490)plasticpackage. NPNcomplement:PBSS2515F. FEATURES •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Highcurrentcapabilities •Improvedthermalbehaviourduetoflatleads. APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandmuting •Lowf	PHIPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	PHI
PBSS3515M	文件：148.99 Kbytes Page：9 Pages	15V,0.5APNPlowVCEsat(BISS)transistor DESCRIPTION LowVCEsatPNPtransistorinaSOT883leadlessultrasmallplasticpackage. NPNcomplement:PBSS2515M. FEATURES •Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat •HighcollectorcurrentcapabilityICandICM •Highefficiencyleadingtoreducedheatgeneration •Reducedprinted	ETC	ETC
PBSS3515M	文件：353.04 Kbytes Page：10 Pages	15V,0.5APNPlowVCEsat(BISS)transistor FEATURES •Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat •HighcollectorcurrentcapabilityICandICM •Highefficiencyleadingtoreducedheatgeneration •Reducedprinted-circuitboardrequirements. APPLICATIONS •Powermanagement: –DC-DCconverter –Supplylineswitching –Batterycharg	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS3515MB	文件：1.09867 Mbytes Page：12 Pages	15V,0.5APNPlowVCEsat(BISS)transistor	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS3515VS	文件：68.56 Kbytes Page：12 Pages	15VlowVCEsatPNPdoubletransistor DESCRIPTION PNPlowVCEsatdoubletransistorinaSOT666plasticpackage. NPNcomplement:PBSS2515VS. FEATURES •300mWtotalpowerdissipation •Verysmall1.6x1.2mmultrathinpackage •Selfalignmentduringsolderingduetostraightleads •Lowcollector-emittersaturationvoltage •	PHIPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	PHI
PBSS3515VS	文件：309.62 Kbytes Page：9 Pages	15VlowVCE(sat)PNPdoubletransistor DESCRIPTION PNPlowVCEsatdoubletransistorinaSOT666plasticpackage. NPNcomplement:PBSS2515VS. FEATURES •300mWtotalpowerdissipation •Verysmall1.6×1.2mmultrathinpackage •Selfalignmentduringsolderingduetostraightleads •Lowcollector-emittersaturationvoltage •	ETC	ETC
PBSS3515VS	文件：201.2 Kbytes Page：9 Pages	15VlowVCEsatPNPdoubletransistor 1.Generaldescription PNPlowVCEsatdoubletransistorinaSOT666ultrasmallandflatleadSurface-MountedDevice (SMD)plasticpackage. NPNcomplement:PBSS2515VS 2.Featuresandbenefits •300mWtotalpowerdissipation •Verysmall1.6x1.2mmultrathinpackage •Selfalignmentdu	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PC3515-O	文件：277.23 Kbytes Page：2 Pages	PRODUCTSPECIFICATION	P-TEC P-TEC corporation	P-TEC
PE3515	文件：273.59 Kbytes Page：1 Pages	CABLEASSEMBLYRG316/USMAMALERIGHTANGLETOSMAMALERIGHTANGLE CABLEASSEMBLY,RG316/U,SMAMALERIGHTANGLETOSMAMALERIGHTANGLE	PASTERNACK Pasternack Enterprises, Inc.	PASTERNACK

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产品属性

产品编号：
OMAP3515DCBCA
制造商：
Texas Instruments
类别：
集成电路（IC） > 微处理器
系列：
OMAP-35xx
包装：
托盘
核心处理器：
ARM® Cortex®-A8
内核数/总线宽度：
1 核，32 位
速度：
600MHz
协处理器/DSP：
多媒体；NEON™ SIMD
RAM 控制器：
LPDDR
图形加速：
是
显示与接口控制器：
LCD
USB：
USB 1.x（3），USB 2.0（1）
电压 - I/O：
1.8V，3.0V
工作温度：
-40°C ~ 105°C（TJ）
封装/外壳：
515-VFBGA，FCBGA
供应商器件封装：
515-POP-FCBGA（14x14）
描述：
IC MPU OMAP-35XX 600MHZ 515FCBGA

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