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PHB60N06LT	文件：71.01 Kbytes Page：9 Pages	TrenchMOStransistorLogiclevelFET GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmode,logiclevel,field-effectpowertransistorinaplasticenvelopeusing’trench’technology. Thedevicehasverylowon-stateresistance.Itisintendedforuseindctodcconvertersandgeneralpurposeswitchingapplications. ThePHP60N06LTissu	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PHB60N06T	文件：68.52 Kbytes Page：8 Pages	TrenchMOStransistorStandardlevelFET GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodestandardlevelfield-effectpowertransistorinaplasticenvelopesuitableforsurfacemounting.Using’trench’technologythedevicefeaturesverylowon-stateresistanceandhasintegralzenerdiodesgivingESDprotectionupto2kV.Itisintended	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PHB60N06T	文件：345.13 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=58A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=55V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=20mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·DC-to-DCConverter ·GeneralIndustrialApplications ·PowerMotorControl	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
PHP60N06LT	文件：371.76 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=58A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=55V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=18mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·DC-to-DCConverter ·GeneralIndustrialApplications ·PowerMotorControl	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
PHP60N06LT	文件：71.01 Kbytes Page：9 Pages	TrenchMOStransistorLogiclevelFET GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmode,logiclevel,field-effectpowertransistorinaplasticenvelopeusing’trench’technology. Thedevicehasverylowon-stateresistance.Itisintendedforuseindctodcconvertersandgeneralpurposeswitchingapplications. ThePHP60N06LTissu	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PHP60N06T	文件：64.319 Kbytes Page：8 Pages	TrenchMOStransistorStandardlevelFET GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodestandardlevelfield-effectpowertransistorinaplasticenvelopeusing’trench’technology.Thedevicefeaturesverylowon-stateresistanceandhasintegralzenerdiodesgivingESDprotectionupto2kV.ItisintendedforuseinDC-DCconvertersa	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PJD60N06	文件：385.14 Kbytes Page：8 Pages	60VN-ChannelEnhancementModeMOSFET	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
PJD60N06A	文件：409.71 Kbytes Page：8 Pages	60VN-ChannelEnhancementModeMOSFET	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
PJD60N06SA-AU	文件：485.24 Kbytes Page：6 Pages	60VN-ChannelEnhancementModeMOSFET Features RDS(ON),VGS@10V,ID@20A	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
RFP60N06	文件：412.33 Kbytes Page：8 Pages	50A,60V,0.022Ohm,LogicLevelN-ChannelPowerMOSFETs TheseN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETsaremanufacturedusingthelatestmanufacturingprocesstechnology.Thisprocess,whichusesfeaturesizesapproachingthoseofLSIcircuits,givesoptimumutilizationofsilicon,resultinginoutstandingperformance.Theyweredesignedforuseinapp	Intersil Intersil Corporation	Intersil

详细参数

型号：
NTP60N06
功能描述：
MOSFET 60V 60A N-Channel
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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