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深圳市斯普仑科技有限公司

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只做原装,只有原装

中天科工半导体(深圳)有限公司

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ONSEMI/安森美SOT363

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深圳市粤骏腾电子科技有限公司

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NTJD4001NT1G

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十年沉淀唯有原装

深圳市诚利顺电子科技有限公司

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十七年专营原装现货一手货源,样品免费送

深圳市富达微科技有限公司

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原厂原装,价格优势,欢迎洽谈!

深圳市拓亿芯电子有限公司

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只做原装正品

深圳市星源辉科技有限公司

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柒号芯城电子商务(深圳)有限公司

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瀚佳科技(深圳)有限公司

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深圳市豪迈兴电子有限公司

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只做原装现货假一罚十!价格最低!只卖原装现货

深圳市正纳电子有限公司

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ON/安森美SOT-363

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10年以上分销商,原装进口件,服务型企业

深圳市科恒伟业电子有限公司

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只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!!

深圳市富芯乐电子科技有限公司

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深圳市益百分电子有限公司

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深圳市芯皇电子有限公司

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专业配单原装正品假一罚十

深圳市英博尔电子有限公司

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深圳市力拓辉电子有限公司

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深圳市富利微电子科技有限公司

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原装正品现货,原厂订货,可支持含税原型号开票。

深圳市明嘉莱科技有限公司

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明嘉莱只做原装正品现货

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NTJD2152P、NTJD4152P内部电路图

  ntjd2152p、ntjd4152p内部电路如下图所示:    来源:lover

NTJD4001N、NTJD4401N内部电路图

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NTJD4001NT1G中文资料Alldatasheet PDF

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NTJD1155L制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:High Efficiency DC-DC Converters

NTJD1155LT1功能描述:MOSFET 8V +/-1.3A P-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

NTJD1155LT1G功能描述:MOSFET 8V +/-1.3A P-Channel w/Level Shift RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

NTJD116N制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:High Efficiency DC-DC Converters

NTJD2152P制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Trench Small Signal MOSFET

NTJD2152P_06制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Trench Small Signal MOSFET

NTJD2152PT1功能描述:MOSFET 8V Dual P-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

NTJD2152PT1G功能描述:MOSFET 8V Dual P-Channel ESD Protection RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

NTJD2152PT2功能描述:MOSFET 8V Dual P-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

NTJD2152PT2G功能描述:MOSFET 8V Dual P-Channel ESD Protection RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube