产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
25 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
2.7V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
350 毫欧 @ 600mA,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.5V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
1.5 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值)
±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
60 pF @ 10 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
630mW(Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
SC-88/SC70-6/SOT-363
封装/外壳
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
基本产品编号
NTJS4405