NTJD5121NT1G

制造商: onsemi

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: SC-88-6

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 2 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 60 V

Id-连续漏极电流: 295 mA

Rds On-漏源导通电阻: 1.6 Ohms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 1 V

Qg-栅极电荷: 900 pC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 250 mW

通道模式: Enhancement

系列: NTJD5121N

封装: Reel

封装: Cut Tape

商标: onsemi

配置: Dual

下降时间: 32 ns

高度: 0.9 mm

长度: 2 mm

产品类型: MOSFET

上升时间: 34 ns

3000

子类别: MOSFETs

晶体管类型: 2 N-Channel

典型关闭延迟时间: 34 ns

典型接通延迟时间: 22 ns

宽度: 1.25 mm

单位重量: 6 mg