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NTH4L080N120SC1中文资料Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, TO-247-4L数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

NTH4L080N120SC1

功能描述

Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, TO-247-4L

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-25 11:26:00

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技术参数

  • 制造商编号

    :NTH4L080N120SC1

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :1200

  • VGS Max (V)

    :25

  • VGS(th) Max (V)

    :4.3

  • ID Max (A)

    :29

  • PD Max (W)

    :170

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :NA

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :NA

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :NA

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :NA

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :NA

  • Ciss Typ (pF)

    :1112

  • Package Type

    :TO-247-4

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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