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NTH4L040N120SC1数据手册ONSEMI中文资料规格书
NTH4L040N120SC1规格书详情
描述 Description
Silicon Carbide (SiC) MOSFET uses a completely new technology thatprovidesuperiorswitching performanceandhigherreliability compared to Silicon. In addition, the low ON resistance and compact chipsizeensurelowcapacitanceandgatecharge.Consequently, system benefits include highest efficiency, faster operation frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size.
特性 Features
• Max RDS(on) = 56mΩ at Vgs = 20V, Id = 35A
• Typical RDS(on) = 40mΩ
• High Speed Switching and Low Capacitance
• 100% UIL Tested
• 1200V Rated
应用 Application
• PFC
• Boost Inverter
• PV Charging
• Solar Inverter
• Network Power Supply
• Charging Stations
技术参数
- 制造商编号
：NTH4L040N120SC1
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：1200
- VGS Max (V)
：+25/-15
- VGS(th) Max (V)
：4.3
- ID Max (A)
：58
- PD Max (W)
：319
- Ciss Typ (pF)
：1762
- Package Type
：TO-247-4
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
onsemi |
23+ |
TO-247-4 |
1356 |
原厂正品现货SiC MOSFET全系列 |
询价 | ||
ON |
22+ |
NA |
650 |
原装正品支持实单 |
询价 | ||
ON(安森美) |
24+ |
TO-247-4 |
10048 |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
询价 | ||
onsemi(安森美) |
24+ |
TO-247-4 |
8110 |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
询价 | ||
ONSEMI |
23+ |
MOSFET |
5864 |
原装原标原盒 给价就出 全网最低 |
询价 | ||
ON(安森美) |
23+ |
标准封装 |
5000 |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
询价 | ||
ON(安森美) |
24+ |
标准封装 |
8000 |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
询价 | ||
ON(安森美) |
24+ |
N/A |
18000 |
原装正品现货支持实单 |
询价 | ||
ON |
24+ |
NA |
3000 |
进口原装 假一罚十 现货 |
询价 | ||
ON/安森美 |
2130+ |
TO-247 |
9000 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 |
