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NTH4L080N120SC1	文件：409.41 Kbytes Page：8 Pages	Silicon Carbide (SiC) MOSFET – 80 mohm, 1200V, M1, TO-247-4L Description SiliconCarbide(SiC)MOSFETusesacompletelynewtechnology thatprovidesuperiorswitchingperformanceandhigherreliability comparedtoSilicon.Inaddition,thelowONresistanceandcompact chipsizeensurelowcapacitanceandgatecharge.Consequently, systembenefitsincl	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTH4L080N120SC1	文件：411.64 Kbytes Page：8 Pages	Silicon Carbide (SiC) MOSFET – EliteSiC, 80mohm, 1200V, M1, TO-247-4L Description SiliconCarbide(SiC)MOSFETusesacompletelynewtechnology thatprovidesuperiorswitchingperformanceandhigherreliability comparedtoSilicon.Inaddition,thelowONresistanceandcompact chipsizeensurelowcapacitanceandgatecharge.Consequently, systembenefitsincl	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTH4L080N120SC1	文件：360.35 Kbytes Page：3 Pages	SiC N-Channel MOSFET FEATURES ·HighSpeedSwitchingwithLowCapacitances ·HighBlockingVoltagewithLowOn-Resistance ·EasytoParallelandSimpletoDrive APPLICATIONS ·SolarInverters ·SwitchModePowerSupplies ·High-voltageCapacitiveLoads ·Motordrives	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
NTH4L080N120SC1	文件：419.16 Kbytes Page：8 Pages	Marking：NTH4L080N120SC1；Package：TO-247-4L；MOSFET ??Power, N-Channel, Silicon Carbide, 1200 V, 80 m	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTH4L080N120SC1_V01	文件：409.41 Kbytes Page：8 Pages	Silicon Carbide (SiC) MOSFET – 80 mohm, 1200V, M1, TO-247-4L Description SiliconCarbide(SiC)MOSFETusesacompletelynewtechnology thatprovidesuperiorswitchingperformanceandhigherreliability comparedtoSilicon.Inaddition,thelowONresistanceandcompact chipsizeensurelowcapacitanceandgatecharge.Consequently, systembenefitsincl	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTH4L080N120SC1_V02	文件：411.64 Kbytes Page：8 Pages	Silicon Carbide (SiC) MOSFET – EliteSiC, 80mohm, 1200V, M1, TO-247-4L Description SiliconCarbide(SiC)MOSFETusesacompletelynewtechnology thatprovidesuperiorswitchingperformanceandhigherreliability comparedtoSilicon.Inaddition,thelowONresistanceandcompact chipsizeensurelowcapacitanceandgatecharge.Consequently, systembenefitsincl	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NVH4L080N120SC1	文件：278.05 Kbytes Page：7 Pages	MOSFET??Power,N-Channel,SiliconCarbide,TO-247-4L1200V,80m	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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