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NTH4L080N120SC1_V02

Silicon Carbide (SiC) MOSFET – EliteSiC, 80mohm, 1200V, M1, TO-247-4L

Description Silicon Carbide (SiC) MOSFET uses a completely new technology that provide superior switching performance and higher reliability compared to Silicon. In addition, the low ON resistance and compact chip size ensure low capacitance and gate charge. Consequently, system benefits incl

文件:411.64 Kbytes 页数:8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTHL040N65S3F

ON/安森美
TO-247

ON/安森美

NTJD4001NT1G

ON/安森美
SOT-363

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NTJD4105CT1G

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更多NTH4L080N120SC1_V02供应商 更新时间2025-10-5 10:07:00