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NTH4L040N120M3S中文资料碳化硅(SiC)MOSFET – EliteSiC系列,40 mohm,1200V,M3S,TO-247-4L封装数据手册ONSEMI规格书
NTH4L040N120M3S规格书详情
描述 Description
全新系列1200V M3S平面型EliteSiC MOSFET,优化用于快速开关应用。平面工艺在负栅极驱动电压和栅极上的关断尖峰下都能够可靠运行。EliteSiC碳化硅系列在用18V栅极驱动时能提供最佳性能,但同样适用15V栅极驱动。
特性 Features
• TO-247-4L开尔文源极封装
• 出色的 FOM值(品质因数) [ = Rdson * Eoss ]
• 超低栅极电荷 (QG(tot) = 75 nC)
• 高速开关,低电容(Coss = 80 pF)
• 15V至18V栅极驱动
• 全新M3S技术:40 mohm RDS(ON),低EON和低EOFF损耗
• 100%通过雪崩测试
• 无卤素,符合RoHS标准
应用 Application
工业
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ONSEMI |
23+ |
MOSFET |
5864 |
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ON(安森美) |
25+ |
标准封装 |
8000 |
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onsemi |
23+ |
TO-247-4L |
1356 |
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24+ |
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