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NTH4L040N120M3S	文件：253 Kbytes Page：8 Pages	Silicon Carbide (SiC) MOSFET – 40 mohm, 1200V, M3S, TO-247-4L Features •Typ.RDS(on)=40m@VGS=18V •UltraLowGateCharge(QG(tot)=75nC) •HighSpeedSwitchingwithLowCapacitance(Coss=80pF) •100AvalancheTested •ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithexemption7a, Pb−Free2LI(onsecondlevelinterconnection) Typical	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTH4L040N120M3S	文件：265.22 Kbytes Page：8 Pages	Silicon Carbide (SiC) MOSFET – 40 mohm, 1200V, M3S, TO-247-4L Features •Typ.RDS(on)=40m@VGS=18V •UltraLowGateCharge(QG(tot)=75nC) •HighSpeedSwitchingwithLowCapacitance(Coss=80pF) •100AvalancheTested •ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithexemption7a, Pb−Free2LI(onsecondlevelinterconnection) Typical	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTH4L040N120M3S	文件：357.6 Kbytes Page：8 Pages	Silicon Carbide (SiC) MOSFET – EliteSiC, 40 mohm, 1200V, M3S, TO-247-4L Features •Typ.RDS(on)=40m@VGS=18V •UltraLowGateCharge(QG(tot)=75nC) •HighSpeedSwitchingwithLowCapacitance(Coss=80pF) •100AvalancheTested •ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithexemption7a, Pb−Free2LI(onsecondlevelinterconnection) Typical	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTH4L040N120M3S_V01	文件：265.22 Kbytes Page：8 Pages	Silicon Carbide (SiC) MOSFET – 40 mohm, 1200V, M3S, TO-247-4L Features •Typ.RDS(on)=40m@VGS=18V •UltraLowGateCharge(QG(tot)=75nC) •HighSpeedSwitchingwithLowCapacitance(Coss=80pF) •100AvalancheTested •ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithexemption7a, Pb−Free2LI(onsecondlevelinterconnection) Typical	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTH4L040N120M3S_V02	文件：357.6 Kbytes Page：8 Pages	Silicon Carbide (SiC) MOSFET – EliteSiC, 40 mohm, 1200V, M3S, TO-247-4L Features •Typ.RDS(on)=40m@VGS=18V •UltraLowGateCharge(QG(tot)=75nC) •HighSpeedSwitchingwithLowCapacitance(Coss=80pF) •100AvalancheTested •ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithexemption7a, Pb−Free2LI(onsecondlevelinterconnection) Typical	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NVH4L040N120M3S	文件：359.64 Kbytes Page：8 Pages	SiliconCarbide(SiC)MOSFET–EliteSiC,40mohm,1200V,M3S,TO-247-4L Features •Typ.RDS(on)=40m@VGS=18V •UltraLowGateCharge(QG(tot)=75nC) •HighSpeedSwitchingwithLowCapacitance(Coss=80pF) •100AvalancheTested •AEC−Q101QualifiedandPPAPCapable •ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithexemption7a, Pb−Free2LI(ons	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NVH4L040N120M3S	文件：357.08 Kbytes Page：8 Pages	SiliconCarbide(SiC)MOSFET–40mohm,1200V,M3S,TO-247-4L Features •Typ.RDS(on)=40m@VGS=18V •UltraLowGateCharge(QG(tot)=75nC) •HighSpeedSwitchingwithLowCapacitance(Coss=80pF) •100AvalancheTested •AEC−Q101QualifiedandPPAPCapable •ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithexemption7a, Pb−Free2LI(ons	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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