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NTH4L040N120M3S_V01	文件：265.22 Kbytes Page：8 Pages	Silicon Carbide (SiC) MOSFET – 40 mohm, 1200V, M3S, TO-247-4L Features • Typ. RDS(on) = 40 m @ VGS = 18 V • Ultra Low Gate Charge (QG(tot) = 75 nC) • High Speed Switching with Low Capacitance (Coss = 80 pF) • 100 Avalanche Tested • This Device is Halide Free and RoHS Compliant with exemption 7a, Pb−Free 2LI (on second level interconnection) Typical 文件：265.22 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NVH4L040N120M3S_V01	文件：359.64 Kbytes Page：8 Pages	Silicon Carbide (SiC) MOSFET – EliteSiC, 40 mohm, 1200V, M3S, TO-247-4L Features • Typ. RDS(on) = 40 m @ VGS = 18 V • Ultra Low Gate Charge (QG(tot) = 75 nC) • High Speed Switching with Low Capacitance (Coss = 80 pF) • 100 Avalanche Tested • AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable • This Device is Halide Free and RoHS Compliant with exemption 7a, Pb−Free 2LI (on s 文件：359.64 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
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更多NTH4L040N120M3S_V01供应商更新时间2025-10-4 14:15:00