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NTH4L040N120M3S_V02	文件：357.6 Kbytes Page：8 Pages	Silicon Carbide (SiC) MOSFET – EliteSiC, 40 mohm, 1200V, M3S, TO-247-4L Features •Typ.RDS(on)=40m@VGS=18V •UltraLowGateCharge(QG(tot)=75nC) •HighSpeedSwitchingwithLowCapacitance(Coss=80pF) •100AvalancheTested •ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithexemption7a, Pb−Free2LI(onsecondlevelinterconnection) Typical	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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NTH4L040N120M3S_V02

文件：357.6 Kbytes

Page：8 Pages

Silicon Carbide (SiC) MOSFET – EliteSiC, 40 mohm, 1200V, M3S, TO-247-4L

Features •Typ.RDS(on)=40m@VGS=18V •UltraLowGateCharge(QG(tot)=75nC) •HighSpeedSwitchingwithLowCapacitance(Coss=80pF) •100AvalancheTested •ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithexemption7a, Pb−Free2LI(onsecondlevelinterconnection) Typical

ONSEMION Semiconductor

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